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1. (WO2002017374) FILM DE NITRURE DE SILICIUM FAIBLEMENT DIELECTRIQUE ET PROCEDE DE FORMATION CORRESPONDANT, DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/017374    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/007061
Date de publication : 28.02.2002 Date de dépôt international : 16.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.01.2002    
CIB :
C23C 16/30 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-Chome Minato-Ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
CHUNG, Gishi [KR/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : CHUNG, Gishi; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3 Ebisu 4-chome Shibuya-ku, Tokyo 150-6032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-248922 18.08.2000 JP
Titre (EN) LOW-DIELECTRIC SILICON NITRIDE FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION PROCESS THEREOF
(FR) FILM DE NITRURE DE SILICIUM FAIBLEMENT DIELECTRIQUE ET PROCEDE DE FORMATION CORRESPONDANT, DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a silicon nitride film includes a CVD process that uses an organic Si compound having an organic silazane bond as a gaseous source. The CVD process is conducted under a condition that the organic silazane bond in the organic Si source is preserved in the silicon nitride film.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un film de nitrure de silicium. Ce procédé comprend un méthode de dépôt chimique en phase vapeur qui utilise, comme source gazeuse, un composé Si organique présentant une liaison silazane organique. Ladite méthode de dépôt chimique en phase vapeur est réalisée à condition que la liaison silazane organique dans la source de Si organique soit conservée dans le film de nitrure de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)