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1. (WO2002017368) COMPOSANT DE POLYSILICIUM A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/017368    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/003998
Date de publication : 28.02.2002 Date de dépôt international : 14.05.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.03.2002    
CIB :
C03C 17/36 (2006.01), C23C 14/02 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01)
Déposants : TOHOKU TECHNO ARCH CO., LTD. [JP/JP]; 468, Aza Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 980-0845 (JP) (AT, BE, CA, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, JP, KR, LU, MC, NL, PT, SE, TR only).
HAGA, Kouichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HAGA, Kouichi; (JP)
Mandataire : SHIGENOBU, Kazuo; Dainichikojimachi Building, 3F, 6-8, Kojimachi 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0083 (JP)
Données relatives à la priorité :
PCT/JP00/05575 18.08.2000 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR POLYSILICON COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF
(FR) COMPOSANT DE POLYSILICIUM A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A thin aluminum (120) is formed on a transparent substrate (110) by evaporation (refer to (a)-(b)). Next, a first thin zinc oxide (130) is formed by sputtering with the surface of the aluminum film (120) DC-biased (c). A second thin zinc oxide (140) is formed on the surface of the first thin zinc oxide (130) by low-temperature MOCVD (d). The second thin zinc oxide (140) deposited by MOCVD on the first thin zinc oxide (130) having a-axis orientation can have a-axis orientation. Since the thin aluminum (120) is absorbed in the first thin zinc oxide by heat when deposited by MOCVD, transmissivity is improved, and a ZnO/ZnO/aluminum/glass structure is highly transparent.
(FR)Un film fin d'aluminium (120) est formé sur un substrat transparent (110) par évaporation (se référer à (a) (b)). Un film fin d'oxyde de zinc (130) est ensuite formé par pulvérisation cathodique de la surface du film d'aluminium (120) polarisé par un courant continu (c). Un second film mince d'oxyde de zinc (140) est formé sur la surface du premier film (130) d'oxyde de zinc par déposition chimique métal-oxyde en phase vapeur (d). Ce second film mince d'oxyde de zinc (140) peut être également orienté selon l'axe a comme le premier film. Du fait que le film mince d'aluminium (120) est absorbé dans le premier film mince d'oxyde de zinc par la chaleur lors de sa déposition chimique métal-oxyde en phase vapeur, la transmissivité est améliorée et on obtient une structure ZnO/ZnO/aluminium/verre extrêmement transparente.
États désignés : CA, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)