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1. (WO2002017364) MODULE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/017364    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/041875
Date de publication : 28.02.2002 Date de dépôt international : 24.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.02.2002    
CIB :
B81B 3/00 (2006.01), B81B 7/00 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN [US/US]; 3003 S. State Street Ann Arbor, MI 48109 (US) (Tous Sauf US).
WONG, Ark-Chew [US/US]; (US) (US Seulement).
NGUYEN, Clark, T.-C. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WONG, Ark-Chew; (US).
NGUYEN, Clark, T.-C.; (US)
Mandataire : SYROWIK, David, R.; Brooks & Kushman 1000 Town Center 22nd floor Southfield, MI 48075 (US)
Données relatives à la priorité :
60/227,506 24.08.2000 US
Titre (EN) MICROMECHANICAL MULTICHIP MODULE AND METHOD OF MAKING SAME
(FR) MODULE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A module bonded together at a microplatform and an improved method for making the module are provided. The method includes providing a micromechanical device including a first substrate, the microplatform, a first plurality of bonding sites on the microplatform, a micromechanical structure fabricated and supported on the microplatform and a support structure to suspend the microplatform above the first substrate. The method further includes providing a transistor circuit wafer including a second plurality of bonding sites thereon and integrated BiCMOS transistor circuits. The first and second plurality of bonding sites are aligned and compression bonded so that the microplatform is both electrically and mechanically coupled to the second substrate to form the module. The platform carrier wafer can be torn off, leaving bonded platforms behind on the substrate wafer. This allows small form factor merging of the two different technologies.
(FR)Module soudé au niveau d'une microplate-forme et procédé amélioré servant à fabriquer ce module. Ce procédé consiste à utiliser un dispositif micromécanique comprenant un premier substrat, la microplate-forme, une première pluralité d'emplacements de soudage sur la microplate-forme, une structure micromécanique fabriquée et supportée sur la microplate-forme et une structure de support servant à suspendre la microplate-forme au-dessus du premier substrat. Ce procédé consiste, de plus, à mettre en application une tranche de circuit transistorisé comportant une deuxième pluralité d'emplacements de soudage et des circuits intégrés de transistor BiCMOS. La première et la deuxième pluralité d'emplacements de soudage sont alignées et soudées par compression, de façon à coupler et à accoupler mécaniquement la microplate-forme au deuxième substrat afin de constituer le module. On peut tirer sur la tranche de support de plate-forme afin de l'enlever, ce qui laisse des plates-formes soudées sur la tranche de substrat. Ceci permet de fusionner les deux techniques différentes selon un facteur de forme bas.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)