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1. (WO2002017363) PROCEDE DE FABRICATION D'UN REFLECTEUR DE BRAGG DISTRIBUE PAR CONTROLE DE LA COMPOSITION DU MATERIAU AU MOYEN D'UNE EPITAXIE PAR FAISCEAUX MOLECULAIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/017363 N° de la demande internationale : PCT/US2001/041832
Date de publication : 28.02.2002 Date de dépôt international : 22.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 18.03.2002
CIB :
H01S 5/024 (2006.01) ,H01S 5/042 (2006.01) ,H01S 5/183 (2006.01) ,H01S 5/30 (2006.01) ,H01S 5/323 (2006.01) ,H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA, THE[US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, CA 94607-5200, US
Inventeurs : HALL, Eric, M.; US
ALMUNEAU, Guilhem; US
Mandataire : BERMAN, Charles ; Greenberg Traurig LLP Suite 400E 2450 Colorado Avenue Santa Monica, CA 90404, US
Données relatives à la priorité :
60/226,86622.08.2000US
60/227,16122.08.2000US
60/227,16522.08.2000US
60/262,54116.01.2001US
Titre (EN) METHOD OF FABRICATING A DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR BY CONTROLLING MATERIAL COMPOSITION USING MOLECULAR BEAM EPITAXY
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN REFLECTEUR DE BRAGG DISTRIBUE PAR CONTROLE DE LA COMPOSITION DU MATERIAU AU MOYEN D'UNE EPITAXIE PAR FAISCEAUX MOLECULAIRES
Abrégé : front page image
(EN) A distributed Bragg reflector for a vertical cavity surface emitting laser has a semiconductor material system including the elements aluminium, gallium, arsenic, and antimony. Accurate control of the composition of the semiconductor material system must be maintained to result in a distributed Bragg reflector suitable for use in a VCSEL. A method of fabricating the distributed Bragg reflector includes calibrating (20) the incorporation of at least one of the elements into the material system as different semiconductor materials are grown on a substrate (14, 22).
(FR) Réflecteur de Bragg distribué conçu pour un laser d'émission de surface à cavité verticale et constitué par un ensemble de semi-conducteurs comprenant les éléments aluminium, gallium, arsenic et antimoine. Il est nécessaire de conserver un contrôle précis de la composition de ces semi-conducteurs afin d'obtenir un réflecteur de Bragg distribué pouvant être mis en application dans un VCSEL. Procédé de fabrication de ce réflecteur de Bragg distribué, consistant à étalonner (20) l'incorporation d'au moins un des éléments dans l'ensemble des matériaux simultanément à la croissance sur un substrat (14, 22) de différents semi-conducteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)