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1. (WO2002017359) COUCHES D'OXYDE CONDUCTEUR TRANSPARENT DE TYPE P A CONCENTRATION DE PORTEURS DE CHARGE ELEVEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/017359    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/025874
Date de publication : 28.02.2002 Date de dépôt international : 17.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.03.2002    
CIB :
C23C 16/40 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : MIDWEST RESEARCH INSTITUTE [US/US]; 425 Volker Boulevard, Kansas City, MO 64110 (US) (Tous Sauf US).
YAN, Yanfa [CN/US]; (US) (US Seulement).
ZHANG, Shengbai [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : YAN, Yanfa; (US).
ZHANG, Shengbai; (US)
Mandataire : WHITE, Paul, J.; National Renewable Energy Laboratory, 1617 Cole Boulevard, Golden, CO 80401 (US)
Données relatives à la priorité :
60/226,188 18.08.2000 US
Titre (EN) HIGH CARRIER CONCENTRATION P-TYPE TRANSPARENT CONDUCTING OXIDE FILMS
(FR) COUCHES D'OXYDE CONDUCTEUR TRANSPARENT DE TYPE P A CONCENTRATION DE PORTEURS DE CHARGE ELEVEE
Abrégé : front page image
(EN)A $i(p-type) transparent conducting oxide film is provided which is consisting essentially of, the transparent conducting oxide and a molecular doping source, the oxide and doping source grown under conditions sufficient to deliver the doping source intact onto the oxide.
(FR)La présente invention une couche d'oxyde conducteur transparent de type P, comportant essentiellement l'oxyde conducteur transparent et une source de dopage moléculaire, l'oxyde et la source de dopage étant formés dans des conditions suffisantes pour amener la source de dopage intacte dans l'oxyde.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)