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1. (WO2002017327) DISPOSITIF DE MEMOIRE A ECRITURE RETARDEE SUR COMMANDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/017327    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/041798
Date de publication : 28.02.2002 Date de dépôt international : 21.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.03.2002    
CIB :
G11C 7/22 (2006.01), G11C 11/4076 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way Boise, ID 83707-0006 (US)
Inventeurs : JANZEN, Jeffrey, W.; (US)
Mandataire : MINUTOLI, Gianni; Dickstein Shapiro Morin & Oshinsky LLP 2101 L Street N.W. Washington, DC 20037-1526 (US).
D'AMICO, Thomas, J.; Dickstein Shapiro Morin & Oshinsky LLP 2101 L Street, N.W. Washington, DC 20037-1526 (US)
Données relatives à la priorité :
09/641,518 21.08.2000 US
Titre (EN) MEMORY DEVICE HAVING POSTED WRITE PER COMMAND
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE A ECRITURE RETARDEE SUR COMMANDE
Abrégé : front page image
(EN)A system and method for decreasing the memory access time by determining if data will be written directly to the array or be posted through a data buffer on a per command basis is disclosed. A memory controller determines if data to be written to a memory array, such as a DRAM array, is either written directly to the array or posted through a data buffer on a per command basis. If the controller determines that a write command is going to be followed by another write command, the data associated with the first write command will be written directly into the memory array without posting the data in the buffer. If the controller determines that a write command will be followed by a read command, the data associated with the write command will be posted in the data buffer, allowing the read command to occur with minimal delay, and the posted data will then be written into the array when the internal I/O lines are no longer being used to execute the read command.
(FR)L'invention concerne un système et un procédé destinés à réduire le temps d'accès à la mémoire en déterminant si les données vont être écrites directement dans le réseau ou retardées, sur commande, par le biais d'un tampon de données. Une unité de commande de mémoire détermine si les données à écrire dans un réseau de mémoire, tel qu'un réseau DRAM, sont écrites directement dans le réseau ou retardées, sur commande, par le biais d'un tampon de données. Si l'unité de commande détermine qu'une commande d'écriture va être suivie par une autre commande d'écriture, les données associées à la première commande d'écriture vont être écrites directement dans le réseau de mémoire sans écriture retardée dans le tampon. Si l'unité de commande détermine qu'une commande d'écriture va être suivie par une commande de lecture, les données associées à la commande d'écriture vont être retardées dans le tampon de données, permettant ainsi à la commande de lecture de se produire avec un retard minimum, les données retardées étant ensuite écrites dans le réseau lorsque les lignes d'entrée/sortie internes ne sont plus utilisées afin d'exécuter la commande de lecture.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)