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1. (WO2002017323) DONNEES A LECTURE SYNCHRONISEES SUR BUS DE MEMOIRE A VITESSE ELEVEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/017323 N° de la demande internationale : PCT/US2001/025957
Date de publication : 28.02.2002 Date de dépôt international : 21.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 19.03.2002
CIB :
G11C 7/10 (2006.01) ,G11C 7/22 (2006.01) ,G11C 11/4076 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC.[US/US]; 8000 S. Federal Way Boise, ID 83707-0006, US
Inventeurs : KEETH, Brent; US
JOHNSON, Brian; US
Mandataire : MINUTOLI, Gianni; Dickstein Shapiro Morin & Oshinsky LLP 2101 L Street NW Washington, DC 20037-1526, US
Données relatives à la priorité :
09/641,51621.08.2000US
Titre (EN) SYNCHRONIZED WRITE DATA ON A HIGH SPEED MEMORY BUS
(FR) DONNEES A LECTURE SYNCHRONISEES SUR BUS DE MEMOIRE A VITESSE ELEVEE
Abrégé : front page image
(EN) Some synchronous semiconductor memory devices accept a command clock which is buffered and a write clock which is unbuffered. Write command are synchronized to the command clock while the associated write data is synchronized to the write clock. Due to the use of the buffer, an arbitrary phase shift can exist between the command and write clocks. The presence of the phase shift between the two clocks makes it difficult to determine when a memory device should accept write data associated a write command. A synchronous memory device in accordance with the present invention utilizes the unbuffered strobe signal which is normally tristated during writes as a flag to mark the start of write data. A preamble signal may be asserted on the strobe signal line prior to asserting the flag signal in order to simplify flag detection.
(FR) Certains dispositifs à mémoire semi-conductrice synchrone acceptent une horloge de commande munie d'un tampon et une horloge d'écriture non munie d'un tampon. La commande de lecture est synchronisée avec l'horloge de commande, tandis que les données à écriture associées sont synchronisées avec l'horloge de lecture. En raison de l'utilisation du tampon, une variation de phase arbitraire peut exister entre les horloges de commande et d'écriture. La présence de la variation de phase entre les deux horloges rend difficile la détermination du moment, où un dispositif de mémoire devrait accepter d'écrire des données liées à une commande de lecture. Selon la présente invention, un dispositif de mémoire synchrone met en jeu le signal stroboscopique qui n'est pas muni du tampon et qui se présente normalement en trois états lors d'écritures comme un drapeau, pour marquer le commencement des données à écriture. Un signal de préambule peut être attribué à la ligne du signal stroboscopique, avant attribution du signal de drapeau, en vue de simplifier la détection de drapeaux.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)