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1. (WO2002016679) MATIERE SEMI-CONDUCTRICE POLYCRISTALLINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/016679    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/005575
Date de publication : 28.02.2002 Date de dépôt international : 18.08.2000
CIB :
C03C 17/36 (2006.01), C23C 14/02 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01)
Déposants : TOHOKU TECHNO ARCH CO., LTD. [JP/JP]; 468, Aza Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 980-0845 (JP) (Tous Sauf US).
HAGA, Koichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HAGA, Koichi; (JP)
Mandataire : SHIGENOBU, Kazuo; 3F Dainichikojimachi Bld., 6-8, Kojimachi 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0083 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF
(FR) MATIERE SEMI-CONDUCTRICE POLYCRISTALLINE
Abrégé : front page image
(EN)An aluminum film (120) is formed on a transparent substrate (110), for example, by deposition. A first thin zinc oxide (130) is formed on the surface of the aluminum film (120) by sputtering with a DC bias applied to the aluminum film. A second thin zinc oxide (140) is formed on the surface of the first thin zinc oxide (130) by normal-pressure MO-CVD. When the second thin zinc oxide (140) is formed by MO-CVD on the first thin zinc oxide (130), which is a-oriented, the second thin zinc oxide is also a-oriented. Since the film (120) is absorbed in the first thin zinc oxide when heated in the MO?CVD process, transmittivity increases, thus providing a highly transparent ZnO/Al/glass structure.
(FR)Un film d'aluminium (120) est formé sur un substrat transparent (110), par exemple par dépôt. Un premier oxyde de zinc en couche mince (130) est formé à la surface du film d'aluminium (120) par pulvérisation cathodique sous polarisation en courant continu, appliquée au film d'aluminium. Un second oxyde de zinc en couche mince (140) est formé à la surface du premier oxyde de zinc en couche mince (130) par procédé MO-VD sous pression normale. Lorsque le second oxyde de zinc en couche mince (140) est formé par procédé MO-VD sur le premier oxyde de zinc en couche mince (130) qui est à orientation 'a', le second oxyde de zinc en couche mince prend également une orientation 'a'. Etant donné que le film (120) est absorbé par le premier oxyde de zinc en couche mince lors du processus MO-VD, le facteur de transmission augmente, ce qui permet d'obtenir une structure ZnO/Al/verre fortement transparente.
États désignés : CA, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)