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1. (WO2002015253) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TRANCHE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/015253    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/006626
Date de publication : 21.02.2002 Date de dépôt international : 01.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.02.2002    
CIB :
C30B 15/00 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (Tous Sauf US).
IIDA, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IIDA, Makoto; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F 6-4, Motoasakusa 2-chome Taito-ku, Tokyo 111-0041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-244201 11.08.2000 JP
Titre (EN) METHOD OF PRODUCING SILICON WAFER
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TRANCHE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A method of producing a silicon wafer for producing by a CZ method a silicon wafer from a silicon single crystal pulled up after doping nitrogen, and heat treating the silicon wafer, wherein a growing-up is effected under a condition that a ratio V/G of a silicon single crystal pulling-up velocity V(mm/min)to a temperature gradient G(K/mm) at the solid-liquid interface is 0.175-0.225 mm2/Kmin within a range of at least 90% in a pulled-up crystal diameter direction; and a silicon wafer produced by this production method, whereby the method of producing a silicon wafer and such a silicon wafer are suitable for producing an anneal wafer having sufficient non-defect layers and BMD density uniformly within a plane while restricting in-plane variations in non-defect layer encountered in an anneal wafer after heat treating ( that is in-plane variations in grown-in defect size) and in-plane variations in BMD density after heat treating such as precipitation heat treating and device heat treating.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche de silicium permettant de fabriquer une tranche de silicium selon procédé de Czochralski, à partir d'un monocristal de silicium étiré après avoir été dopé à l'azote. Le procédé consiste également à appliquer un traitement thermique à la tranche de silicium; une croissance se produisant pour autant que le rapport V/G de la vitesse V (mm/min) d'étirage du monocristal de silicium par rapport au gradient G (K/mm) de température à l'interface solide-liquide soit compris entre 0,175 et 0,225 mm2/Kmin sur un parcours d'au moins 90 % du diamètre d'un monocristal étiré. L'invention concerne également une tranche de silicium fabriquée selon ce procédé de fabrication. Le procédé de fabrication, et la tranche de silicium ainsi obtenue, permettent de fabriquer une plaquette de recuit présentant suffisamment de couches sans défaut et une densité BMD uniforme dans le plan, tout en empêchant les variations dans le plan de la couche sans défaut déposée sur la plaquette de recuit après traitement thermique (c'est-à-dire, des variations dans le plan de la taille de croissance des défauts) et les variations dans le plan de la densité BMD après traitement thermique, tel que le traitement thermique des précipitations et le traitement thermique du dispositif.
États désignés : KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)