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1. (WO2002015251) ELIMINATION DE PHOTORESINE ET DE RESTES DE PHOTORESINE D'UN SEMI-CONDUCTEUR AU MOYEN DE DIOXYDE DE CARBONE SUPERCRITIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/015251    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/022454
Date de publication : 21.02.2002 Date de dépôt international : 14.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.03.2002    
CIB :
B08B 7/00 (2006.01), G03F 7/42 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP)
Inventeurs : MULLEE, William, H.; (US)
Mandataire : HAVERSTOCK, Thomas, B.; Haverstock & Owens LLP, Suite 420, 260 Sheridan Avenue, Palo Alto, CA 94306 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) REMOVAL OF PHOTORESIST AND PHOTORESIST RESIDUE FROM SEMICONDUCTORS USING SUPERCRITICAL CARBON DIOXIDE PROCESS
(FR) ELIMINATION DE PHOTORESINE ET DE RESTES DE PHOTORESINE D'UN SEMI-CONDUCTEUR AU MOYEN DE DIOXYDE DE CARBONE SUPERCRITIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method of removing a photoresist or a photoresist residue from a semiconductor substrate is disclosed. The semiconductor substrate with the photoresist or the photoresist residue on a surface of the semiconductor substrate is placed within a pressure chamber. The pressure chamber is then pressurized. Supercritical carbon dioxide and a stripper chemical are introduced to the pressure chamber. The supercritical carbon dioxide and the stripper chemical are maintained in contact with the photoresist or the photoresist residue until the photoresist or the photoresist residue is removed from the semiconductor substrate. The pressure chamber is then flushed and vented. In an alternative embodiment, supercritical CO2 carries organic or inorganic chemicals or a combination of the organic and inorganic chemicals into the pressure chamber. The organic or inorganic chemicals or a combination of the organic and inorganic chemicals interacts with resist, resist residues, and organic contaminants on the wafer surface and carry these materials and remaining chemicals out of the chamber.
(FR)L'invention concerne un procédé d'élimination d'une photorésine et d'un reste de photorésine d'un substrat semi-conducteur. On place celui-ci présentant, sur une surface, la photorésine ou le reste de photorésine, dans une chambre de pression. On met ensuite celle-ci sous pression. On introduit le dioxyde de carbone supercritique et un agent chimique d'élimination de photorésine dans la chambre de pression. On maintient le dioxyde de carbone supercritique et ledit agent chimique en contact jusqu'au moment où la photorésine ou le reste de photorésine est éliminé du substrat semi-conducteur. On balaie et met à l'air libre la chambre de pression. Dans un autre mode de réalisation, le CO2 supercritique comprend des agents chimiques organiques et inorganiques ou une combinaison de ceux-ci dans la chambre de pression. Ces agents ou une combinaison de ceux-ci interagissent avec une résine, des restes de résine et des contaminants organiques sur la surface de la plaquette et transportent ces matériaux et des agents chimiques restants en dehors de la chambre.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)