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1. (WO2002015194) PROCEDE ET SYSTEME DESTINES A CACHER DES RAFRAICHISSEMENTS DANS UNE MEMOIRE VIVE DYNAMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/015194 N° de la demande internationale : PCT/US2001/041725
Date de publication : 21.02.2002 Date de dépôt international : 14.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 06.03.2002
CIB :
G11C 7/10 (2006.01) ,G11C 11/406 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
7
Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
10
Dispositions d'interface d'entrée/sortie (E/S, I/O) de données, p.ex. circuits de commande E/S de données, mémoires tampon de données E/S
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
401
formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
406
Organisation ou commande des cycles de rafraîchissement ou de régénération de la charge
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC.[US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83716-9632, US
Inventeurs : KEETH, Brent; US
SHIRLEY, Brian, M.; US
RYAN, Kevin, J.; US
DENNISON, Charles, H.; US
Mandataire : BULCHIS, Edward, W. ; Dorsey & Whitney LLP Suite 3400 1420 Fifth Avenue Seattle, WA 98101, US
Données relatives à la priorité :
09/641,88117.08.2000US
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM FOR HIDING REFRESHES IN A DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) PROCEDE ET SYSTEME DESTINES A CACHER DES RAFRAICHISSEMENTS DANS UNE MEMOIRE VIVE DYNAMIQUE
Abrégé :
(EN) A method and system for refreshing a dynamic random access memory ('DRAM')(40) includes a pair of memory arrays for each of a plurality of banks. The DRAM (40) includes the usual addressing and data path circuitry, as well as a refresh controller (70) that refreshes the arrays in a manner that hides refreshes sufficiently that the DRAM (40) can be used in place of an SRAM as a cache memory (236). Since only one of the arrays in each bank is refreshed at a time, the refresh controller (70) is able to allow data to be written to the array that is not being refreshed. The refresh controller (70) then causes the write data to be temporarily stored so that it can be written to the array of the refresh of the array has been completed. If neither array is being refreshed, the data are written to both arrays. Data are read from the arrays by first checking to determine if any of the arrays is being refreshed. If so, data are read from the array that is not being refreshed.
(FR) L'invention concerne un procédé et un système destinés à rafraîchir une mémoire vive dynamique ('DRAM')(40) et comprenant une paire de matrices mémoires pour chaque groupe de banques. Cette DRAM (40) comprend l'ensemble de circuits de chemins de données et d'adressage habituels, ainsi qu'un dispositif de commande de rafraîchissement (70) des matrices de manière à suffisamment cacher ces rafraîchissements pour permettre à la DRAM (40) d'être utilisée à la place d'une SRAM en tant que mémoire cache (236). Etant donné que le rafraîchissement ne peut être exécuté que sur une matrice de chaque banque à la fois, le dispositif de commande de rafraîchissement (70) peut permettre à des données d'être écrites dans la matrice non rafraîchie. Le dispositif de commande de rafraîchissement (70) provoque ensuite le stockage temporaire des données écrites de sorte qu'elles soient écrites dans la matrice dont le rafraîchissement a été achevé. Si aucune matrice n'est en cours de rafraîchissement, les données sont écrites sur les deux matrices. Les données sont lues à partir des matrices lors d'un premier contrôle permettant de déterminer si une des matrices est en cours de rafraîchissement. Si c'est le cas, les données sont lues à partir de la matrice qui n'est pas en cours de rafraîchissement.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)