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1. (WO2002013384) CIRCUIT DE MINUTERIE ET MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEUR DANS LAQUELLE EST INCORPORE CE CIRCUIT DE MINUTERIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/013384    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/006706
Date de publication : 14.02.2002 Date de dépôt international : 03.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.08.2001    
CIB :
G11C 5/00 (2006.01), G11C 7/22 (2006.01), G11C 8/18 (2006.01), G11C 11/406 (2006.01), G11C 11/4074 (2006.01), G11C 11/4076 (2006.01), H03K 3/011 (2006.01), H03K 3/03 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome Minato-ku, Tokyo 108-8001 (JP) (Tous Sauf US).
TAKAHASHI, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SONODA, Masatoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAGAWA, Atsushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKAHASHI, Hiroyuki; (JP).
SONODA, Masatoshi; (JP).
NAKAGAWA, Atsushi; (JP)
Mandataire : HAMADA, Haruo; Wisdom house 4-12, Minami-Aoyama 3-chome Minato-ku, Tokyo 107-0062 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-237520 04.08.2000 JP
Titre (EN) TIMER CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY INCORPORATING THE TIMER CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE MINUTERIE ET MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEUR DANS LAQUELLE EST INCORPORE CE CIRCUIT DE MINUTERIE
Abrégé : front page image
(EN)A timer circuit exhibiting a timer period which decreases with a rise of temperature and increases with a fall of temperature. A diode (D) has a current characteristic depending on temperature. The forward current flow through an n-type MOS transistor (N1) constituting the primary side of a current mirror. Depending on the current flowing through the n-type MOS transistor (N1), the current flowing through a p-type MOS transistor (P2) and an n-type MOS transistor (N3) constituting the secondary side of the current mirror is determined. The current flowing through the p-type MOS transistor (P2) and the n-type MOS transistor (N3) is supplied as the operating current of a ring oscillator constituted of inverters (I1-I3). Therefore, the period (timer period) of a clock signal CLK outputted from the ring oscillator reflects the temperature characteristics of the diode (D), and the timer period decreases with a rise of temperature.
(FR)Cette invention se rapporte à un circuit de minuterie possédant une période de minuterie qui diminue lors d'une montée de température et qui augmente lors d'une chute de température. A cet effet, une diode (D) comporte une caractéristique de courant qui dépend de la température. Le flux de courant aller qui traverse un transistor MOS de type n (N1) constitue le côté primaire d'un miroir de courant. En fonction du flux de courant traversant le transistor MOS de type n (N1), on détermine le flux de courant traversant un transistor MOS de type p (P2) et un transistor MOS de type n (N3) constituant le côté secondaire du miroir de courant. Le flux de courant traversant le transistor MOS de type p (P2) et le transistor MOS de type n (N3) est fourni pour servir de courant d'actionnement d'un oscillateur en anneau composé d'onduleurs (I1-I3). Ainsi la période (période de minuterie) d'un signal d'horloge (CLK) émis par l'oscillateur en anneau reflète la caractéristique de température de la diode (D), et la période de minuterie diminue lors d'une montée de température.
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, IT).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)