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1. (WO2002013381) DISPOSITIF A ONDE ACOUSTIQUE DE SURFACE ET SON SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/013381    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/004431
Date de publication : 14.02.2002 Date de dépôt international : 25.05.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.07.2001    
CIB :
H03H 9/02 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 541-0041 (JP) (Tous Sauf US).
NAKAHATA, Hideaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HACHIGO, Akihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TATSUMI, Natsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IMAI, Takahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIKATA, Shinichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKAHATA, Hideaki; (JP).
HACHIGO, Akihiro; (JP).
TATSUMI, Natsuo; (JP).
IMAI, Takahiro; (JP).
SHIKATA, Shinichi; (JP)
Mandataire : JODAI, Tetsuji; c/o Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1-3, Shimaya 1-chome, Konohana-ku Osaka-shi, Osaka 554-0024 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-241468 09.08.2000 JP
Titre (EN) SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND SUBSTRATE THEREOF
(FR) DISPOSITIF A ONDE ACOUSTIQUE DE SURFACE ET SON SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)A substrate of a surface acoustic wave device is provided in which an intermediate layer for controlling the crystal characteristics of a piezoelectric layer is unlikely to separate from a diamond layer. A substrate (20) of a surface acoustic wave device (10) comprises a diamond layer (22), an intermediate layer (24) on the diamond layer (22), and a piezoelectric layer (26) on the intermediate layer (24). The piezoelectric layer (26) is formed of LiNbO3 or LiTaO3, and the intermediate layer (24) is formed of AlN.
(FR)L'invention porte sur le substrat d'un dispositif à onde acoustique de surface comportant une couche intermédiaire de contrôle des caractéristiques de la couche piézo-électrique, peu susceptible de se séparer de la couche de diamant. Un tel substrat (20) comporte une couche de diamant (22) une couche intermédiaire (24) disposée sur la couche de diamant (22), et une couche piézo-électrique (26) disposée sur la couche intermédiaire (24), la couche piézo-électrique (26) étant faite de LiNbO3 ou de LiTaO3, et la couche intermédiaire (24), d'AlN.
États désignés : CA, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)