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1. (WO2002013258) CONTACT DORSAL POUR CIRCUIT INTEGRE ET PROCEDE DE REALISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/013258    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/023571
Date de publication : 14.02.2002 Date de dépôt international : 26.07.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.02.2002    
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place Mail Stop 68 Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventeurs : IACOPONI, John, A.; (US).
MIETHKE, John, C.; (US)
Mandataire : DRAKE, Paul, S.; Advanced Micro Devices, Inc. 5204 East Ben White Boulevard Mail Stop 562 Austin, TX 78741 (US).
BROOKES BATCHELLOR; 102-108 Clerkenwell Road London, EC1M 5SA London WC1V 6SE (GB)
Données relatives à la priorité :
09/633,931 08.08.2000 US
Titre (EN) BACKSIDE CONTACT FOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING SAME
(FR) CONTACT DORSAL POUR CIRCUIT INTEGRE ET PROCEDE DE REALISATION
Abrégé : front page image
(EN)A contact (146) formed from the backside of an integrated circuit device includes a first conductive layer (114) on a first surface of the integrated circuit device and a second conductive layer on a second surface (141) of the device. The two conductive layers are coupled by way of an opening (144) through the semiconductor substrate (110) separating the two conductive layers. A method for making the backside contact (146) comprises forming the first conductive layer (114), forming an opening (144) through the semiconductor substrate (110) to expose at least a portion of the underside (116) of the first conductive layer (114), then filling the opening (144) with a conductive material (150) to provide an electrical contact to the first conductive layer (114) from the backside of the integrated circuit device.
(FR)L'invention concerne un contact (146) réalisé depuis l'arrière d'un dispositif à circuit intégré, qui comprend une première couche conductrice (114) sur une première surface du dispositif à circuit intégré et une seconde couche conductrice sur une seconde surface (141) du dispositif. Les deux couches conductrices sont couplées par le biais d'une ouverture (144) pratiquée dans le substrat à semiconducteur (110), qui sépare les deux couches. Le procédé de réalisation du contact dorsal (146) consiste à établir la première couche conductrice (114), à pratiquer une ouverture (144) dans le substrat à semiconducteur (110) pour exposer au moins une partie du côté inférieur (116) de la première couche (114), puis à remplir l'ouverture (144) de matériau conducteur (150) afin d'assurer le contact électrique avec la première couche (114) depuis l'arrière du dispositif à circuit intégré.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)