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1. (WO2002013247) PROCEDE DE LIAGE DE TRANCHE DE TYPE EPITAXIAL A BASSE TEMPERATURE ET STRUCTURE LIEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/013247    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/022591
Date de publication : 14.02.2002 Date de dépôt international : 09.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.03.2002    
CIB :
H01L 21/18 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : ZIPTRONIX, INC. [US/US]; 147 Herbert 3040 Cornwallis Road Research Triangle Park, NC 27709 (US)
Inventeurs : TONG, Qin-Yi; (US)
Mandataire : SCHLIER, Carl; Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C. 1940 Duke Street Alexandria, VA 22314 (US)
Données relatives à la priorité :
09/635,272 09.08.2000 US
Titre (EN) A METHOD OF EPITAXIAL-LIKE WAFER BONDING AT LOW TEMPERATURE AND BONDED STRUCTURE
(FR) PROCEDE DE LIAGE DE TRANCHE DE TYPE EPITAXIAL A BASSE TEMPERATURE ET STRUCTURE LIEE
Abrégé : front page image
(EN)A process for bonding oxide-free silicon substrate pairs and other substrates at low temperature. This process involves modifying the surface of the silicon wafers (200, 203) to create defect regions (202, 204), for example by plasma-treating the surface to be bonded with boron-containing plasmas such as a B2H6 plasma (201). The surface defect regions may also be amorphized (202, 204). The treated surfaces are placed together, thus forming an attached pair at room temperature in ambient air. The bonding energy reaches approximately 400 mJ/m2 at room temperature, 900mJ/m2 at 150 °C, and 1800 mJ/m2 at 250 °C. The bulk silicon fracture energy of 2500 mJ/m2 was achieved after annealing at 350-400 °C. The release of hydrogen from B-H complexes and the subsequent absorption of the hydrogen by the plasma induced modified layers on the bonding surfaces at low temperature is most likely responsible for the enhanced bonding energy.
(FR)L'invention concerne un procédé de liage de paires de substrat en silicium dépourvu d'oxyde et d'autres substrats à basse température. Ce procédé implique la modification de la surfaces des tranches de silicium (200, 203) afin de créer des régions à défaut (202, 204), par exemple par traitement au plasma de la surface à lier avec les plasmas contenant du bore, tels que le plasma B2H6 (201). Les régions à défaut des surfaces peuvent aussi être rendues amorphes (202, 204). Les surfaces traitées sont mises ensemble, formant ainsi une paire solidaire à une température de laboratoire dans l'air ambiant. L'énergie de liage atteint environ 400 mJ/m2 à température de laboratoire, 900mJ/m2 à 150 °C, et 1800 mJ/m2 à 250 °C. L'énergie de fracture du silicium en bloc de 2500 mJ/m2 est atteinte après annelage à 350-400 °C. La libération de l'hydrogène des complexes B-H et l'absorption ultérieure de l'hydrogène par les couches modifiées induites par le plasma sur les surfaces de liage à basse température sont très probablement responsables de l'amélioration de l'énergie de liage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)