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1. (WO2002011210) INVERSEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/011210    N° de la demande internationale :    PCT/JP2000/005091
Date de publication : 07.02.2002 Date de dépôt international : 28.07.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.12.2000    
CIB :
H01L 27/098 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01), H02M 7/515 (2007.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 541-0041 (JP) (Tous Sauf US).
HARADA, Shin [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIROTSU, Kenichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUNAMI, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIMOTO, Tsunenobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HARADA, Shin; (JP).
HIROTSU, Kenichi; (JP).
MATSUNAMI, Hiroyuki; (JP).
KIMOTO, Tsunenobu; (JP)
Mandataire : NAKANO, Minoru; Sumitomo Electric Industries, Ltd., 1-3, Shimaya 1-chome, Konohana-ku, Osaka-shi, Osaka 554-0024 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) INVERTER
(FR) INVERSEUR
Abrégé : front page image
(EN)A low-loss inverter with high switching frequency is provided using inverter elements (S1-S6), which are SiC (Silicon Carbide) JFETs.
(FR)La présente invention concerne un inverseur à faible perte, qui présente une haute fréquence de commutation et qui met en oeuvre des éléments d'inverseur (S1-S6) qui sont des transistors à effet de champ à jonction (JFET) en carbure de silicium (SiC).
États désignés : CA, CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)