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1. (WO2002011204) MATERIAU MULTIPHASE A FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE ET PROCEDE DE DEPOT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/011204 N° de la demande internationale : PCT/US2000/021091
Date de publication : 07.02.2002 Date de dépôt international : 02.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 26.02.2002
CIB :
C23C 16/30 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION[US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504, US
Inventeurs : GRILL, Alfred; US
PATEL, Vishnubhai, V.; US
GATES, Stephen, M.; US
Mandataire : TREPP, Robert, M.; Yorktown IP Law Department International Business Machines Corporation T.J. Watson Research Center Route 134 and Kitchawan Road Yorktown Heights, NY 10598, US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MULTIPHASE LOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL AND METHOD OF DEPOSITION
(FR) MATERIAU MULTIPHASE A FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE ET PROCEDE DE DEPOT
Abrégé : front page image
(EN) A low dielectric constant, multiphase material which can be used as an interconnect dielectric in IC chips is disclosed. Also disclosed is a method for fabricating a multiphase low dielectric constant film utilizing a plasma enhanced chemical vapor deposition technique. Electronic devices containing insulating layers of the multiphase low dielectric constant materials that are prepared by the method are further disclosed.
(FR) L'invention concerne un matériau multiphase, à faible constante diélectrique, que l'on peut utiliser en tant que diélectrique d'interconnexion dans des puces à circuit imprimé; elle concerne également un procédé de fabrication d'un film multiphase, à faible constante diélectrique, consistant à utiliser une technique de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma. L'invention concerne encore des dispositifs électroniques contenant des couches isolantes de ces matériaux multiphase à faible constante diélectrique que l'on prépare à l'aide du procédé ci-dessus.
États désignés : CN, JP, KR
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)