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1. (WO2002011194) PROCEDE DE DECOUPE D'UN MONOCRISTAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/011194    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/005891
Date de publication : 07.02.2002 Date de dépôt international : 06.07.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.11.2001    
CIB :
B23K 26/12 (2006.01), B23K 26/40 (2006.01), B28D 1/22 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, KR, LU, MC, NL, PT, SE, TR only).
OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUGAWA, Shigetoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHINOHARA, Toshikuni [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ITO, Tatsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KANAYA, Koichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OHMI, Tadahiro; (JP).
SUGAWA, Shigetoshi; (JP).
SHINOHARA, Toshikuni; (JP).
ITO, Tatsuo; (JP).
KANAYA, Koichi; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F 6-4, Motoasakusa 2-chome Taito-ku, Tokyo 111-0041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-210192 11.07.2000 JP
Titre (EN) SINGLE CRYSTAL CUTTING METHOD
(FR) PROCEDE DE DECOUPE D'UN MONOCRISTAL
Abrégé : front page image
(EN)A single crystal cutting method comprising the step of feeding to the vicinity of a cutting section a gas containing a gas molecule or radical which reacts with single-crystal constituting atoms to provide a stable gas molecule, while irradiating the cutting section with very short pulse laser to cut the single crystals. This provides a method of cutting silicon single crystals using laser processing, wherein single crystals are processed while ensuring a satisfactory cut surface and very little cutting loss.
(FR)L'invention concerne un procédé de découpe d'un monocristal comportant une étape qui consiste à alimenter à proximité d'une section de découpe un gaz contenant une molécule ou un radical qui réagit avec les atomes constitutifs de monocristal pour fournir une molécule de gaz stable, tout en irradiant la section de découpe à l'aide d'un laser à impulsions en vue de découper les monocristaux. Ceci permet un procédé de découpe de monocristaux de silicium à l'aide d'un traitement laser, dans lequel les monocristaux sont traités tout en garantissant une surface de découpe satisfaisante et très peu de perte durant le découpage.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)