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N° de publication : WO/2002/011188 N° de la demande internationale : PCT/US2001/023797
Date de publication : 07.02.2002 Date de dépôt international : 27.07.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 31.01.2002
CIB :
B81B 3/00 (2006.01) ,B81C 1/00 (2006.01) ,H01H 59/00 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
B
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
3
Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p.ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
C
PROCÉDÉS OU APPAREILS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À LA FABRICATION OU AU TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OU DE SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE
1
Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
H
INTERRUPTEURS ÉLECTRIQUES; RELAIS; SÉLECTEURS, DISPOSITIFS DE PROTECTION
59
Relais électrostatiques; Relais à électro-adhésion
Déposants : HRL LABORATORIES, LLC[US/US]; 3011 Malibu Canyon Road Malibu, CA 90265-4799, US
HUGHES ELECTRONICS CORPORATION[US/US]; 200 North Sepulveda Boulevard P.O. Box 956 El Segundo, CA 90245, US
Inventeurs : KUBENA, Randall, L.; US
LITTLE, Michael, J.; US
HACKETT, LeRoy, H.; US
Mandataire : GALLENSON, Mavis, S. ; 5670 Wilshire Blvd. Suite 2100 Los Angeles, CA 90036, US
Données relatives à la priorité :
09/629,68401.08.2000US
Titre (EN) A MEM SENSOR AND A METHOD OF MAKING SAME
(FR) CAPTEUR MEM ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A method of making a micro electro-mechanical switch or tunneling sensor. A cantilevered beamstructure and a mating structure are defined on a first substrate or wafer; and at least one contactstructure and a mating structure are defined on a second substrate or wafer, the mating structureon the second substrate or wafer being of a complementary shape to the mating structure on thefirst substrate or wafer. A bonding layer, preferably a eutectic bonding layer, is provided on at least one of the mating structures. The mating structure of the first substrate is moved into aconfronting relationship with the mating structure of the second substrate or wafer. Pressure isapplied between the two substrates so as to cause a bond to occur between the two mating structures at the bonding or eutectic layer. Then the first substrate or wafer is removed to free thecantilevered beam structure for movement relative to the second substrate or wafer.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur tunnel ou d'un commutateur micro-électromécanique. Une poutre en porte-à-faux et une structure d'accouplement sont formées sur un premier substrat ou plaquette. Au moins une structure de contact et une structure d'accouplement sont formées sur un second substrat ou plaquette. La forme de la structure d'accouplement appliquée sur le second substrat ou plaquette coïncide avec celle de la structure d'accouplement appliquée sur le premier substrat ou plaquette. Une couche de liaison, de préférence une couche de liaison eutectique, est appliquée sur au moins l'une des structures d'accouplement. La structure d'accouplement du premier substrat est déplacée face à la structure d'accouplement du second substrat ou plaquette. On applique une pression entre les deux substrats pour provoquer l'adhérence des deux structures d'accouplement au niveau de la couche eutectique ou de liaison. On enlève ensuite le premier substrat ou plaquette pour libérer ladite poutre en porte-à-faux et lui permettre de se déplacer par rapport au second substrat ou plaquette.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)