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1. (WO2002011183) LOGIQUE D'ÉTALONNAGE PERMETTANT D'AMÉLIORER LA PRÉCISION DES FORMES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/011183    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/023998
Date de publication : 07.02.2002 Date de dépôt international : 31.07.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.02.2002    
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : ADE CORPORATION [US/US]; 80 Wilson Way Westwood, MA 02090-1806 (US)
Inventeurs : DROHAN, William; (US).
GOLDFARB, William; (US).
HARVEY, Peter; (US).
SINHA, Jaydeep; (US)
Mandataire : SCHURGIN, Stanley, M.; Weingarten, Schurgin, Gagnebin & Hayes, LLP Ten Post Office Square Boston, MA 02109 (US).
GAGNEBIN, Charles, L. III; Weingarten, Schurgin, Gagnebin & Lebovici, LLP Ten Post Office Square Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
60/222,130 31.07.2000 US
Titre (EN) SHAPE ACCURACY IMPROVEMENT USING A NOVEL CALIBRATION APPROACH
(FR) LOGIQUE D'ÉTALONNAGE PERMETTANT D'AMÉLIORER LA PRÉCISION DES FORMES
Abrégé : front page image
(EN)Determining the systematic error of an instrument that measures features of a semiconductor wafer which a symmetric corrector is calculated by taking the average over all measurement signatures at each load angle. The symmetric corrector is successively rotated to the same angle as a front shape measurement and subtracted, yielding a calibrated wafer data set (80). A wafer mean is computed by averaging these calibrated wafer shape measurements (82). When the wafer mean is substracted from the individual front side corrected shape measurements, a set of shape residual maps for each load angle results (84). The average of the aligned residuals is the asymmmetric error (86). The systematic error is the sum of the symmetric and asymmetric errors (90).
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de déterminer l'erreur systématique d'un instrument utilisé pour mesurer les caractéristiques d'une plaquette à semi-conducteurs. Ce procédé se décompose en un enchaînement de phases. On commence par recueillir des données de sondes de passes de mesure sur les faces antérieures et postérieures d'une plaquette pour différents angles par rapport à l'instrument selon les passes, ce qui donne pour chaque angle un jeu de données antérieures et un jeu de données postérieures. On organise ensuite les données de chaque jeu de façon à obtenir un bâti de coordonnées fixes de la plaquette. Par rotation de l'ensemble des données de la face postérieure autour du diamètre de la plaquette, on crée un jeu de données postérieures de rotation. Par soustraction des données postérieures de rotation des données antérieures pour chaque angle de la plaquette, puis par division par deux du résultat, on obtient une forme de plaquette moyennée pour chaque angle de charge. Par addition des données postérieures de rotation aux données antérieure puis division par deux du résultat, on obtient une signature d'instrument pour chaque angle de charge. La moyenne de l'ensemble des signatures de l'instrument permet de calculer le correcteur de symétrie. Par rotations successives et soustraction du correcteur de symétrie selon le même angle que la mesure de forme antérieure, on obtient un jeu de données de plaquette étalonnées. En calculant une moyenne de ces mesures de formes de plaquette étalonnées, on obtient une moyenne de plaquette. Pour obtenir un jeu d'applications résiduelles des formes pour chaque angle de charge, on soustrait des différentes mesures de forme corrigées de la face antérieure la moyenne de plaquette. La moyenne des résiduels recadrés correspond à l'erreur asymétrique, l'erreur systématique étant la somme des erreurs symétriques et asymétriques.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)