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1. (WO2002010486) PROCEDE POUR DETECTER LA DERNIERE PHASE DE FUSION D'UN SILICIUM POLYCRISTALLIN, PROCEDE DE REGLAGE DE LA TEMPERATURE DE CONTACT DU CRISTAL GERME AVEC LA MATIERE EN FUSION, ET APPAREIL DE PRODUCTION D'UN SILICIUM MONOCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/010486 N° de la demande internationale : PCT/JP2001/006528
Date de publication : 07.02.2002 Date de dépôt international : 30.07.2001
CIB :
C30B 15/20 (2006.01)
Déposants : URANO, Masahiko[JP/JP]; JP (UsOnly)
SHIGENO, Hideki[JP/JP]; JP (UsOnly)
SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.[JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : URANO, Masahiko; JP
SHIGENO, Hideki; JP
Mandataire : ISHIHARA, Shoji; No.302, Wakai Bldg. 7-8, Higashi-Ikebukuro 3-chome Toshima-ku, Tokyo 170-0013, JP
Données relatives à la priorité :
2000-22827328.07.2000JP
Titre (EN) METHOD FOR DETECTING COMPLETION OF MELTING OF POLYCRYSTALLINE SILICONE, METHOD FOR SETTING TEMPERATURE FOR CONTACTING SEED CRYSTAL WITH MELT, AND APPARATUS FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCEDE POUR DETECTER LA DERNIERE PHASE DE FUSION D'UN SILICIUM POLYCRISTALLIN, PROCEDE DE REGLAGE DE LA TEMPERATURE DE CONTACT DU CRISTAL GERME AVEC LA MATIERE EN FUSION, ET APPAREIL DE PRODUCTION D'UN SILICIUM MONOCRISTALLIN
Abrégé : front page image
(EN) A method for determining a state of melting of a raw material polycrystalline silicon which allows detecting completion of the melting, determining efficiently the temperature which is suitable for growing a single crystal and to which the silicon melt is to be cooled after completion of the melting, reducing process loss, and thus saving labor and cost; and an apparatus for producing a silicon single crystal for practicing the method are provided. Of the above, a method for detecting completion of the melting of a raw material polycrystalline silicon is characterized in that the surface temperature of a silicon melt during melting of the raw material polycrystalline silicon is measured by an optical means, the fluctuation width of the temperature is compared with the predetermined value, the time when the fluctuation width of the surface temperature is for the first time the same as or less than the predetermined value is taken as the first point of completion of the melting, and the melting of a raw material polycrystalline silicon is determined to be completed at the first point of completion of the melting.
(FR) L'invention concerne un procédé qui permet de déterminer un état de fusion d'une matière première en silicium polycristallin, et donc de détecter la dernière phase de la fusion; de déterminer efficacement la température appropriée de dépôt d'un monocristal, température à laquelle le silicium en fusion doit être refroidi après la dernière phase de la fusion; de réduire la perte en cours de traitement et donc d'économiser sur la main d'oeuvre et les coûts. L'invention concerne également un appareil de production d'un silicium monocristallin mettant en oeuvre le procédé de l'invention. Parmi les procédés décrits, celui qui permet de détecter la dernière phase de la fusion d'une matière première en silicium polycristallin se caractérise en ce que la température superficielle du silicium pendant la fusion de la matière première en silicium polycristallin est mesurée par un moyen optique; que la marge de fluctuation de la température est comparée avec la valeur préétablie; que le moment où la marge de fluctuation de la température superficielle est pour la première fois identique ou inférieure à la valeur préétablie est utilisé comme le premier point d'achèvement de la fusion; et que la fusion d'une matière première en silicium polycristallin est jugée terminée lorsqu'elle arrive au premier point d'achèvement de la fusion.
États désignés : JP, KR, US
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)