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1. (WO2002009891) REVETEMENT BARRIERE DEPOSE PAR PLASMA COMPRENANT UNE COUCHE D'INTERFACE, PROCEDE D'OBTENTION D'UN TEL REVETEMENT ET RECIPIENT AINSI REVETU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/009891    N° de la demande internationale :    PCT/FR2001/002368
Date de publication : 07.02.2002 Date de dépôt international : 20.07.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.02.2002    
CIB :
B05D 7/22 (2006.01), B05D 7/24 (2006.01), C23C 16/04 (2006.01)
Déposants : SIDEL [FR/FR]; Avenue de la patrouille de France, Octeville-sur-Mer, B.P. 204, F-76053 Le Havre Cedex (FR) (Tous Sauf US).
BELDI, Nasser [DZ/FR]; (FR) (US Seulement).
ADRIANSENS, Eric [BE/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : BELDI, Nasser; (FR).
ADRIANSENS, Eric; (FR)
Mandataire : SILORET, Patrick; Sidel, Service Propriété Industrielle, B.P. 204, F-76053 Le Havre Cedex (FR)
Données relatives à la priorité :
00/10102 01.08.2000 FR
Titre (EN) PLASMA DEPOSITED BARRIER COATING COMPRISING AN INTERFACE LAYER, METHOD FOR OBTAINING SAME AND CONTAINER COATED THEREWITH
(FR) REVETEMENT BARRIERE DEPOSE PAR PLASMA COMPRENANT UNE COUCHE D'INTERFACE, PROCEDE D'OBTENTION D'UN TEL REVETEMENT ET RECIPIENT AINSI REVETU
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns in particular a method using a low pressure plasma for depositing a barrier coating on a substrate to be treated, wherein the plasma is obtained by partial ionisation, under the action of an electromagnetic field, of a reaction fluid injected under low pressure in a treating zone. The method is characterised in that it comprises at least a step which consists in depositing on the substrate an interface layer which is obtained by bringing to plasma state a mixture comprising at least an organosilicon compound and a nitrogenous compound, and a step which consists in depositing, on the interface layer, a barrier layer, essentially consisting of a silicon oxide of formula SiOx.
(FR)L'invention se rapporte notamment à un procédé mettant en oeuvre un plasma à faible pression pour déposer un revêtement barrière sur un substrat à traiter, du type dans lequel le plasma est obtenu par ionisation partielle, sous l'action d'un champ électromagnétique, d'un fluide réactionnel injecté sous faible pression dans une zone de traitement, caractérisé en ce qu'il comporte au moins une étape consistant à déposer sur le substrat une couche d'interface qui est obtenue en portant à l'état de plasma un mélange comportant au moins un composé organosilicé et un composé azoté, et une étape consistant à déposer, sur la couche d'interface, une couche barrière, composée essentiellement d'un oxyde de silicium de formule SiOx.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)