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1. (WO2002009277) REGLAGE DU GAIN PAR CONTRE-REACTION NEGATIVE POUR TRANSISTOR A ELECTRODE COMMUNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/009277 N° de la demande internationale : PCT/US2001/021722
Date de publication : 31.01.2002 Date de dépôt international : 10.07.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 07.02.2002
CIB :
H03F 1/34 (2006.01) ,H03G 1/00 (2006.01)
Déposants : INTERSIL CORPORATION[US/US]; 2401 Palm Bay Road Palm Bay, FL 32905, US
Inventeurs : FURINO, James; US
Mandataire : REGAN, Christopher, F.; Allen, Dyer, Doppelt, Milbrath & Gilchrist, P.A. 255 South Orange Avenue Suite 1401 P.O. Box 3791 Orlando, FL 32802-3791, US
Données relatives à la priorité :
09/612,84810.07.2000US
Titre (EN) NEGATIVE FEEDBACK GAIN CONTROL FOR COMMON ELECTRODE TRANSISTOR
(FR) REGLAGE DU GAIN PAR CONTRE-REACTION NEGATIVE POUR TRANSISTOR A ELECTRODE COMMUNE
Abrégé : front page image
(EN) The unwanted varation in operating point asscoiated with varying gain of a common input/output electrode transistor, such as a common emitter bipolar transistor, is obviated by coupling an electronically controllable conductance in a negative feedback path between a first input/output electrode (collector) and the control electrode (base) of the transistor. A first embodiment applied to a bipolar device, the electronically controlled feedback element comprises a diode, having its forward conductance varied by adjusting current flow through a controllable current source. The controls the amount of feedback from the collector to the base and the forward loop gain of the common emitter transistor. A second embodiment for a bipolar device, the controlled feedback element comprises an emitter-follower transistor, with its forward gain controlled by varying the current drawn through its emitter by a controllable current source/sink. This, in turn, varies the amount of voltage fed back from the collector to the base and thus the gain of the common emitter trasistor.
(FR) Dans cette invention, on empêche les variations indésirables du point de fonctionnement associé à la variation du gain d'un transistor à électrode d'entrée/sortie commune, notamment un transistor bipolaire émetteur commun, en couplant une conductance à commande électrique, dans un chemin de contre-réaction négative, entre une première électrode d'entrée/sortie (collecteur) et l'électrode de commande (base) du transistor. Dans un premier mode de réalisation appliqué à un dispositif bipolaire, l'élément de contre-réaction à commande électronique comprend une diode, dont la conductance avant est modulée par l'ajustement de l'écoulement de courant dans une source de courant réglable. Ceci permet de régler la quantité de contre-réaction entre le collecteur et la base et le gain en boucle avant du transistor émetteur commun. Dans un second mode de réalisation appliqué à un dispositif bipolaire, l'élément de contre-réaction commandé comprend un transistor émetteur-suiveur, dont le gain avant est réglé par modulation du courant amené par son émetteur via une source/écoulement de courant réglable. Il en résulte la modulation de la quantité de tension renvoyée du collecteur à la base, et par conséquent, du gain du transistor émetteur commun.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)