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1. (WO2002009242) STRUCTURE OPTIQUE SUR SUBSTRAT ADAPTATIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/009242    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/022567
Date de publication : 31.01.2002 Date de dépôt international : 18.07.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.11.2001    
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/36 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01), H01S 5/02 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01), H01S 5/32 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01), H01S 5/327 (2006.01)
Déposants : MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road, Schaumburg, , IL 60196 (US)
Inventeurs : RAMDANI, Jamal; (US).
HILT, Lyndee; (US).
DROOPAD, Ravindranath; (US)
Mandataire : WUAMETT, Jennifer, B.; Motorola Inc., Intellectual Property Dept., AZ 11/56-238, 3102 North 56th Street, Phoenix, AZ 85018 (US)
Données relatives à la priorité :
09/621,130 21.07.2000 US
Titre (EN) OPTICAL STRUCTURE ON COMPLIANT SUBSTRATE
(FR) STRUCTURE OPTIQUE SUR SUBSTRAT ADAPTATIF
Abrégé : front page image
(EN)High quality epitaxial layers of compound semiconductor materials (108) can be grown overlying large silicon wafers by first growing an accommodating buffer layer (104) on a silicon wafer (102). The accommodating buffer layer is a layer of monocrystalline oxide spaced apart from the silicon wafer by an amorphous interface layer (112) of silicon oxide. The amorphous interface layer dissipates strain and permits the growth of a high quality monocrystalline oxide accommodating buffer layer. Any lattice mismatch between the accommodating buffer layer and the underlying silicon substrate is taken care of by the amorphous interface layer. Optical structures such as visible light lasers and light emitting diodes can be grown on the high quality epitaxial compound semiconductor material to create highly reliable devices having reduced costs.
(FR)Des couches épitaxiales de haute qualité de matériaux semi-conducteurs composites (108) peuvent être tirées sous recouvrement de grandes plaquettes de silicium en tirant tout d'abord une couche tampon d'adaptation (104) sur une plaquette en silicium (102). La couche tampon d'adaptation est une couche d'oxyde microcristallin, espacée de la plaquette en silicium par une couche d'interface amorphe (112) d'oxyde de silicium. La couche d'interface amorphe dissipe les contraintes et permet le tirage d'une couche tampon d'adaptation d'oxyde monocristallin de haute qualité. La couche d'interface amorphe prend en ligne de compte tout manque de concordance entre la couche tampon d'adaptation et le substrat en silicium sous-jacent. Des structures optiques telles que lasers à lumière visible et diodes d'émission lumineuse peuvent être tirées sur le matériau semi-conducteur composite épitaxial de haute qualité en vue de créer des dispositifs d'une haute fiabilité à des coûts économiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)