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1. (WO2002009198) APPAREIL DE GRAVURE A CONFINEMENT ET OBJET-GUIDE POUR ECOULEMENT DE GAZ DE PLASMA ET SON PROCEDE D'UTILISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/009198    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/041421
Date de publication : 31.01.2002 Date de dépôt international : 26.07.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.02.2002    
CIB :
H01L 31/06 (2006.01), H01L 31/078 (2006.01)
Déposants : UNAXIS USA INC. [US/US]; 10050 16th Street North, St. Petersburg, FL 33716 (US) (Tous Sauf US).
LEE, Jewon [KP/KP]; (KP) (US Seulement).
DEVRE, Mike [US/US]; (US) (US Seulement).
JOHNSON, Dave [GB/US]; (US) (US Seulement).
MACKENZIE, Kenneth [GB/US]; (US) (US Seulement).
SASSERATH, Jay [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Jewon; (KP).
DEVRE, Mike; (US).
JOHNSON, Dave; (US).
MACKENZIE, Kenneth; (US).
SASSERATH, Jay; (US)
Mandataire : KAMINSKI, Michael, D.; Foley & Lardner, Washington Harbour, 3000 K Street, N.W., Suite 500, Washington, DC 20007-5109 (US)
Données relatives à la priorité :
09/625,970 26.07.2000 US
Titre (EN) ETCHING APPARATUS HAVING A CONFINEMENT AND GUIDE OBJECT FOR GAS FLOW OF PLASMA AND METHOD FOR USING SAME
(FR) APPAREIL DE GRAVURE A CONFINEMENT ET OBJET-GUIDE POUR ECOULEMENT DE GAZ DE PLASMA ET SON PROCEDE D'UTILISATION
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for anisotropically plasma etching semiconductor materials is disclosed. The apparatus includes an etching chamber for plasma etching which includes therein a gas confinement apparatus and/or a gas flow modifier to focus the plasma gas onto the substrate to be etched and provide uniform etch rates, modulation of sidewall profile shapes or surface morphology during processing. The gas confinement apparatus and the gas flow modifier are formed of any suitable shape and may include openings therein to produce a balanced gas flow rate. The apparatus is especially useful for etching GaAs and InP substrates.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un appareil de gravure au plasma de matériaux semiconducteurs de façon non isotrope. Cet appareil comprend une chambre de gravure servant à la gravure au plasma, contenant un appareil de confinement de gaz et/ou un modificateur de débit de gaz servant à concentrer le gaz plasma sur le substrat à graver afin d'assurer des valeurs uniformes en terme de vitesse de gravure, de modulation des profils des parois latérales, ou de la morphologie surfacique pendant le traitement. L'appareil de confinement de gaz et le modificateur du débit de gaz, qui présentent une forme quelconque appropriée, comportent des ouvertures assurant l'équilibre de la vitesse de débit de gaz. Cet appareil est spécialement utilisé dans la gravure de substrats GaAs et InP.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)