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1. (WO2002009192) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS, AFFICHEUR A CRISTAUX LIQUIDES, AFFICHAGE EL, ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN FILM A SEMI-CONDUCTEURS ET D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/009192 N° de la demande internationale : PCT/JP2001/006365
Date de publication : 31.01.2002 Date de dépôt international : 24.07.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 30.11.2001
CIB :
G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/84 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : NISHITANI, Hikaru[JP/JP]; JP (UsOnly)
YAMAMOTO, Makoto[JP/JP]; JP (UsOnly)
TAKETOMI, Yoshinao[JP/US]; US (UsOnly)
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.[JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 571-8501, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : NISHITANI, Hikaru; JP
YAMAMOTO, Makoto; JP
TAKETOMI, Yoshinao; US
Mandataire : SAEGUSA, Eiji ; Kitahama TNK Building 1-7-1, Doshomachi, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 541-0045, JP
Données relatives à la priorité :
2000-22227524.07.2000JP
2000-32230123.10.2000JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, EL DISPLAY DEVICE, SEMICONDUCTOR FILM PRODUCING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCING METHOD
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS, AFFICHEUR A CRISTAUX LIQUIDES, AFFICHAGE EL, ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN FILM A SEMI-CONDUCTEURS ET D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN) A semiconductor device characterized by comprising a thin film transistor (40) having a multicrystal semiconductor layer (11), the semiconductor layer (11) containing a channel region (22), high-concentration impurity regions (24, 17) positioned on opposite sides of the channel region (22), and low-concentration impurity regions (18a, 18b) positioned between the channel region (22) and the high-concentration impurity regions (24, 17) and having a lower impurity concentration than that of the high-concentration impurity regions (24, 17), wherein the particle size of crystals (14) at least part of which are present in the low-concentration impurity region (18b) is greater than that of other crystals (15).
(FR) L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs caractérisé en ce qu'il comprend un transistor (40) à film mince doté d'une couche de semi-conducteurs multicristalline (11), cette couche de semi-conducteurs (111) comportant une région de canal (22), des régions à haute concentration d'impuretés (24, 27) positionnées sur les côtés opposés de la région (22) de canal et des régions à faible concentration d'impuretés (18a, 18b) positionnées entre la région (22) de canal et les régions à haute concentration d'impuretés (24, 17). La grosseur particulaire des cristaux (14) dont au moins une partie sont présents dans la région (18b) à faible concertation d'impuretés est supérieure à celle des autres cristaux (15).
États désignés : CN, KR, SG, US
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)