WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002009171) SUBSTRAT CERAMIQUE POUR APPAREIL DE FABRICATION/INSPECTION DE SEMI-CONDUCTEURS, ELEMENT CHAUFFANT EN CERAMIQUE, DISPOSITIF DE RETENUE ELECTROSTATIQUE SANS ATTACHE ET SUBSTRAT POUR TESTEUR DE TRANCHES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/009171    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/006395
Date de publication : 31.01.2002 Date de dépôt international : 25.07.2001
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01), H05B 3/14 (2006.01)
Déposants : IBIDEN CO., LTD. [JP/JP]; 1, Kandacho 2-chome Ogaki-shi, Gifu 503-0917 (JP) (Tous Sauf US).
ITO, Yasutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIRAMATSU, Yasuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ITO, Yasutaka; (JP).
HIRAMATSU, Yasuji; (JP)
Mandataire : YASUTOMI, Yasuo; Chuo BLDG. 4-20, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku Osaka-shi, Osaka 532-0011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-223767 25.07.2000 JP
Titre (EN) CERAMIC SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURE/INSPECTION APPARATUS, CERAMIC HEATER, ELECTROSTATIC CLAMPLESS HOLDER, AND SUBSTRATE FOR WAFER PROBER
(FR) SUBSTRAT CERAMIQUE POUR APPAREIL DE FABRICATION/INSPECTION DE SEMI-CONDUCTEURS, ELEMENT CHAUFFANT EN CERAMIQUE, DISPOSITIF DE RETENUE ELECTROSTATIQUE SANS ATTACHE ET SUBSTRAT POUR TESTEUR DE TRANCHES
Abrégé : front page image
(EN)A ceramic substrate for semiconductor manufacture/inspection apparatus which radiates little a radiation, has a heat conductivity hardly varying with time, and is excellent in temperature controllability is characterized in that the a radiation emitted from the ceramic substrate is over 0.25 c/cm2 . hr and below 50 c/cm2 . hr.
(FR)L'invention concerne un substrat céramique destiné à un appareil de fabrication/inspection de semi-conducteurs et produisant un rayonnement $g(a) court. Ce substrat présente une conductivité élevée variant à peine avec le temps, ainsi qu'une excellente aptitude à la régulation de température. L'invention se caractérise en ce que le rayonnement $g(a) émis à partir de ce substrat céramique est supérieur à 0,25 c/cm2 x heure et inférieur à 50 c/cm2 x heure.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)