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1. (WO2002008836) PROCEDE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE D'UNE COUCHE DE RESINE PHOTOSENSIBLE SUR UN SUBSTRAT DE CIRCUITS IMPRIMES, NOTAMMENT UNE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/008836    N° de la demande internationale :    PCT/EP2001/008419
Date de publication : 31.01.2002 Date de dépôt international : 20.07.2001
CIB :
G03F 7/38 (2006.01), G03F 7/40 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : ADVANCED PHOTONICS TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; Bruckmühler Strasse 27 83052 Bruckmühl-Heufeld (DE) (Tous Sauf US).
GAUS, Rainer [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BÄR, Kai, K., O. [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HÜLSMANN, Thorsten [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WIRTH, Rolf [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : GAUS, Rainer; (DE).
BÄR, Kai, K., O.; (DE).
HÜLSMANN, Thorsten; (DE).
WIRTH, Rolf; (DE)
Mandataire : BOHNENBERGER, Johannes; Meissner, Bolte & Partner Postfach 86 06 24 81633 München (DE)
Données relatives à la priorité :
100 35 430.0 20.07.2000 DE
Titre (DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR THERMISCHEN BEHANDLUNG EINER FOTOLACKSCHICHT AUF EINEM SCHALTUNGSSUBSTRAT, INSBESONDERE HALBLEITERWAFER
(EN) METHOD AND DEVICE FOR THERMALLY TREATING A PHOTORESIST LAYER ON A CIRCUIT SUBSTRATE, ESPECIALLY A SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE D'UNE COUCHE DE RESINE PHOTOSENSIBLE SUR UN SUBSTRAT DE CIRCUITS IMPRIMES, NOTAMMENT UNE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE
Abrégé : front page image
(DE)Verfahren zur thermischen Behandlung zum Trocknen oder Hartbacken einer Fotolackschicht auf einem Schaltungssubstrat, insbesondere Halbleiterwafer, wobei eine Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung, die einen Wirkanteil im Bereich des nahen Infrarots, insbesondere im Wellenlängenbereich zwischen 0,8 $g(m)m und 1,5 $g(m)m, hat.
(EN)The invention relates to a method for thermally treating a photoresist layer on a circuit substrate, especially a semiconductor wafer, for drying or hard baking. The method is characterised by exposure to electromagnetic radiation with an active component in the infrared range, especially in the wavelength range between 0.8 &mgr;m and 1.5 &mgr;m.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement thermique permettant de sécher ou de cuire dure une couche de résine photosensible sur un substrat de circuits imprimés, notamment une tranche semi-conductrice. L'invention est caractérisée par une exposition à des rayons électromagnétiques ayant une fraction active comprise dans la zone infrarouge proche, notamment dans la gamme d'ondes comprise entre 0,8 &mgr;m et 1,5 &mgr;.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)