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1. (WO2002007305) MELANGEUR RADIOFREQUENCE EQUILIBRE EN LIGNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/007305    N° de la demande internationale :    PCT/IB2001/000643
Date de publication : 24.01.2002 Date de dépôt international : 18.04.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.02.2002    
CIB :
H03D 7/14 (2006.01)
Déposants : NOKIA CORPORATION [FI/FI]; Keilalahdentie 4, FIN-02150 Espoo (FI).
NOKIA INC. [US/US]; 6000 Connection Drive, Irving, TX 75039 (US) (LC only)
Inventeurs : HAAPALA, Miika; (FI)
Mandataire : STUART, Michael, C.; Cohen, Pontani, Lieberman & Pavane, 551 Fifth Avenue, Suite 1210, New York, NY 10176 (US)
Données relatives à la priorité :
09/617,461 17.07.2000 US
Titre (EN) LINEAR BALANCED RF MIXER
(FR) MELANGEUR RADIOFREQUENCE EQUILIBRE EN LIGNE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to an up conversion RF mixer having first differential transistor pair comprising first and second transistors and a second differential transistor pair having third and fourth transistors. The emitters of the first and second transistors are connected to the drain of a fifth transistors and the emitters of the third and fourth transistors are connected to the drain of a sixth transistors. The sources of the fifth and sixth transistors are connected to drains of seventh and eighth transistors, respectively. A local oscillator signal is connected to the bases of the first and second transistors and to the bases of the third and fourth transistors. A first intermediate frequency signal is connected to the gate of the fifth transistor and the gate of the eighth transistor. A second intermediate frequency signal which is the inverse of the first intermediate frequency signal is connected to the gates of the sixth and seventh transistors. The gates of fifth and sixth transistores are also connected to a constant bias voltage and the gates of the seventh and eighth transistors are connected to a bias current circuit.
(FR)L'invention concerne un mélangeur radiofréquence de conversion-élévation possédant une première paire de transistors différentiels comprenant un premier et un deuxième transistor, et une deuxième paire de transistors différentiels possédant un troisième et un quatrième transistor. Les émetteurs du premier et du deuxième transistor sont connectés au drain d'un cinquième transistor et les émetteurs du troisième et du quatrième transistor sont connectés au drain d'un sixième transistor. Les sources des cinquième et sixième transistor sont connectées aux drains d'un septième et d'un huitième transistor respectifs. Un signal d'oscillateur local est couplé aux bases du premier et du deuxième transistor, ainsi qu'aux bases du troisième et du quatrième transistor. Un premier signal de fréquence intermédiaire est couplé à la grille du cinquième transistor et à la grille du huitième transistor. Un deuxième signal de fréquence intermédiaire, inversé par rapport au premier signal de fréquence intermédiaire est couplé aux grilles du sixième et du septième transistor. Les grilles du cinquième et du sixième transistor sont également couplées à une tension de polarisation constante et les grilles du septième et du huitième transistor sont connectées à un circuit de courant de polarisation.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)