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1. (WO2002007205) COMPOSITION D'ATTACHE CHIMIQUE ET SON UTILISATION AVEC RETROREGULATION DE HF DANS UN AGENT DE NETTOYAGE BEOL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/007205    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/022334
Date de publication : 24.01.2002 Date de dépôt international : 16.07.2001
CIB :
C09K 13/08 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP. [US/US]; 1730 North First Street San Jose, CA 95112-4508 (US)
Inventeurs : TEWS, Helmut; (US)
Mandataire : BRADEN, Stanton, C.; Siemens Corporation Intellectual Property Dept. 186 Wood Avenue South Iselin, NJ 08830 (US)
Données relatives à la priorité :
09/615,974 14.07.2000 US
Titre (EN) ETCHING COMPOSITION AND USE THEREOF FOR CLEANING METALLIZATION LAYERS
(FR) COMPOSITION D'ATTACHE CHIMIQUE ET SON UTILISATION AVEC RETROREGULATION DE HF DANS UN AGENT DE NETTOYAGE BEOL
Abrégé : front page image
(EN)A process for providing an aqueous back-end-of-line (BEOL) clean with feed-back control to monitor the active component of HF in the clean, for a wiring/interconnect of a reactive ion etched semiconductor device, comprising: subjecting the reactive ion etched semiconductor device to a post metal RIE clean using an etchant composition comprising about 0.01 to about 15 percent by weight of sulfuric acid; about 0.1 to about 100 ppm of a fluoride containing compound; and a member selected from the group consisting of about 0.01 to about 20 percent by weight of hydrogen peroxide or about 1 to about 30 ppm of ozone, comprising: a) mixing water, sulfuric acid and hydrogen peroxide in a mixing tank; b) mixing HF directly into the mixing tank or adding HF into a separate vessel for wafer processing, either before, during or after the mixture water, sulfuric acid and hydrogen peroxide as a mixture is transported to the separate tank for wafer processing; c) taking a sample comprising HF from the mixing tank or HF from the wafer processing tank and sending the sample through a feedback loop; d) comparing the sample to a standard dilute solution of HF to obtain a value of HF concentration in the sample; e) inputting the value to a tank tool recipe control to cause any needed adjustment in concentration of HF to a predetermined range, either in the mixing tank or the wafer processing vessel; and f) subjecting the wiring/interconnect of the semiconductor device to etching by the etchant composition to remove sidewall polymer, polymer rails and via residue without etching conductive materials during removal of sidewall polymer, polymer rails, and via residue.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant d'obtenir un agent de nettoyage aqueux fin de ligne de retour (BEOL) avec rétrorégulation en vue de contrôler le composant actif de HF dans le produit de nettoyage pour un câblage/interconnexion d'un dispositif semi-conducteur attaqué par des ions réactifs, caractérisé en ce qu'on soumet le dispositif semi-conducteur attaqué par des ions réactifs à un post-nettoyage RIE du métal au moyen d'une composition d'attaque comprenant environ 0,01 à environ 15 % en poids d'acide sulfurique ; environ 0,1 à environ 100 ppm d'un composé renfermant du fluorure ; et un composé choisi dans le groupe formé d'environ 0,01 à environ 20 % en poids de peroxyde d'hydrogène ou d'environ 1 à environ 30 ppm d'ozone, opération consistant a) à mélanger de l'eau, de l'acide sulfurique et du peroxyde d'hydrogène dans un récipient de mélange ; b) à mélanger HF directement dans le récipient de mélange, ou à ajouter HF dans un récipient séparé pour le traitement des plaquettes, soit avant, soit durant, soit après que le mélange eau/acide sulfurique/peroxyde d'hydrogène soit transporté dans le récipient séparé de traitement des plaquettes ; c) à prélever dans le récipient de mélange ou dans le récipient de traitement, un échantillon renfermant HF et à envoyer cet échantillon dans une boucle de rétroaction ; d) à comparer l'échantillon à une solution étalon diluée de HF en vue d'obtenir une valeur de la concentration en HF dans l'échantillon ; e) à introduire cette valeur dans le contrôle du mode opératoire dans le récipient utilisé en vue d'ajuster, si besoin est, la concentration en HF de façon qu'elle se situe dans un intervalle prédéterminé, soit dans le récipient de mélange, soit dans le récipient de traitement ; et f) à soumettre le câblage/interconnexion du dispositif semi-conducteur à l'attaque chimique par ladite composition d'attaque en vue d'éliminer les polymères des parois latérales, les rails polymères et les résidus des trous traversants, sans attaquer les matériaux conducteurs au cours de l'élimination des éléments précités.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)