WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002007191) COUCHES MINCES DIELECTRIQUES A FAIBLE K EN ZEOLITE DE SILICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/007191    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/021439
Date de publication : 24.01.2002 Date de dépôt international : 06.07.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.01.2002    
CIB :
C01B 37/02 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSTY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street 5th Floor Oakland, CA 94607 (US) (Tous Sauf US).
YAN, Yushan [CN/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Huanting [CN/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Zhengbao [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : YAN, Yushan; (US).
WANG, Huanting; (US).
WANG, Zhengbao; (US)
Mandataire : ACKERMAN, Joel, G.; Townsend and Townsend and Crew LLP Two Embarcadero Center Eighth Floor San Francisco, CA 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
60/218,102 13.07.2000 US
60/288,626 03.05.2001 US
Titre (EN) SILICA ZEOLITE LOW-K DIELECTRIC THIN FILMS
(FR) COUCHES MINCES DIELECTRIQUES A FAIBLE K EN ZEOLITE DE SILICE
Abrégé : front page image
(EN)Thin films for use as dielectric in semiconductor and other devices are prepared from silica zeolites, preferably pure silica zeolites such as pure-silica MFI. The films have low k values, generally below about 2.7, ranging downwards to k values below 2.2. The films have relatively uniform pore distribution, good mechanical strength and adhesion, are relatively little affected by moisture, and are thermally stable. The films may be produced from a starting zeolite synthesis or precursor composition containing a silica source and an organic zeolite structure-directing agent such as a quaternary ammonium hydroxide. In one process the films are produced from the synthesis composition by in-situ crystallization on a substrate. In another process, the films are produced by spin-coating, either through production of a suspension of zeolite crystals followed by redispersion by in-situ crystallization or by using an excess of the alkanol produced in preparing the synthesis composition. Zeolite films having patterned surfaces may also be produced.
(FR)Selon l'invention, des couches minces destinées à être utilisées en tant que diélectrique dans des dispositifs à semi-conducteur ou autres sont réalisées à partir de zéolites de silice, de préférence de zéolites de silice pure telles que les zéolites du type MFI de silice pure. Ces couches présentent un k de faible valeur, en général inférieur à environ 2,7, pouvant aller jusqu'à une valeur inférieure à 2,2. Ces couches présentent une répartition des pores relativement uniforme, une grande résistance mécanique et une grande adhérence, elles sont relativement peu affectées par l'humidité et elles sont thermiquement stables. Ces couches peuvent être produites à partir d'une composition précurseur ou de synthèse de zéolite de départ, contenant une source de silice et un agent d'orientation de structure de zéolite organique tel qu'un hydroxyde d'ammonium quaternaire. Selon un procédé, ces couches sont réalisées à partir de la composition de synthèse par cristallisation in situ sur un substrat. Selon un autre procédé, les couches sont réalisées par centrifugation, soit par production d'une suspension de cristaux de zéolite, suivie d'une redispersion, soit au moyen de l'excès d'alcanol produit lors de la préparation de la composition de synthèse. On peut également réaliser des couches de zéolite présentant des surfaces à motifs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)