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1. (WO2002005399) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/005399    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/005869
Date de publication : 17.01.2002 Date de dépôt international : 06.07.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.12.2001    
CIB :
H01L 33/32 (2010.01), H01S 5/343 (2006.01), H01L 33/24 (2010.01), H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/30 (2006.01), H01S 5/34 (2006.01)
Déposants : NICHIA CORPORATION [JP/JP]; 491-100, Oka, Kaminaka-cho Anan-shi, Tokushima 774-8601 (JP)
Inventeurs : KOZAKI, Tokuya; (JP)
Mandataire : ISHII, Hisao; AOYAMA & PARTNERS IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 540-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-207576 07.07.2000 JP
2000-306372 05.10.2000 JP
2000-355078 21.11.2000 JP
2001-174903 08.06.2001 JP
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
Abrégé : front page image
(EN)A nitride semiconductor device, comprising a p-type nitride semiconductor layer (11), an active layer (12), and an n-type nitride semiconductor layer (13), the active layer (12) sandwiched between the p-type nitride semiconductor layer (11) and the n-type nitride semiconductor layer (13) further comprising at least a barrier layer (2a) having n-type impurities, an well layer (1a) formed of a nitride semiconductor layer containing (In), and a barrier layer (2c) having p-type impurities or grown up by undoping, wherein the barrier layer (2) is disposed as a barrier layer nearest the p-type layer side, whereby a carrier can be filled suitably to the active layer (12).
(FR)Dispositif semi-conducteur au nitrure, qui contient une couche semi-conductrice (11) en nitrure de type p, une couche active (12) et une couche semi-conductrice (13) en nitrure de type n, la couche active (12) étant placée en sandwich entre la couche semi-conductrice (11) en nitrure de type p et la couche semi-conductrice (13) en nitrure de type n. Ladite couche active comporte en outre au moins une couche barrière (2a) contenant des impuretés de type n, une couche puits (1a) formée d'une couche semi-conductrice en nitrure contenant In et une couche barrière (2c) possédant des impuretés de type p ou développée par élimination du dopage. La couche barrière (2) est placée en tant que couche barrière située au plus près de la face de couche de type p, un véhicule pouvant être introduit de manière appropriée dans la couche active (2).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)