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1. (WO2002005348) DISPOSITIF CMOS DURCI CONTRE LES EFFETS DES RADIATIONS A DOSE TOTALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/005348 N° de la demande internationale : PCT/US2001/018609
Date de publication : 17.01.2002 Date de dépôt international : 07.06.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 07.06.2001
CIB :
H01L 27/092 (2006.01)
Déposants : THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, as represented by the Secretary of the Navy[US/US]; Naval Research Laboratory 4555 Research Laboratory Washington, DC 20375-5325, US
Inventeurs : SUMMERS, Geoffrey; US
XAPSOS, Michael; US
JACKSON, Eric; US
Mandataire : KARASEK, John, J.; Associate Counsel (Patents) Code 1008.2 Naval Research Laboratory 4555 Overlook Avenue, SW Washington, DC 20375-5325, US
Données relatives à la priorité :
09/614,68212.07.2000US
Titre (EN) CMOS DEVICES HARDENED AGAINST TOTAL DOSE RADIATION EFFECTS
(FR) DISPOSITIF CMOS DURCI CONTRE LES EFFETS DES RADIATIONS A DOSE TOTALE
Abrégé : front page image
(EN) A CMOS or NMOS device (10) has one or more n-channel FET's (12) disposed on a substrate (20), the device (10) being resistant to total dose radiation failures, the device (10) further including a negative voltage source (22), for applying a steady negative back bias to the substrate of the n channel FET's (12) to mitigate leakage currents in the device (10), thereby mitgating total dose radiation effects. A method for operating a CMOS or NMOS device (10) to resist total dose radiation failures, the device (10) having one or more n channel FET's disposed on a substrate (20), has the steps: (a) disposing CMOS or NMOS device (10) in a radiation environment, the radiation environment delivering a dose on the order of tens or hundreds of krad (Si) over the period of use of the CMOS device (10); and (b) applying a negative back bias to the substrate (20) of the NMOSFET's (10), at a voltage for mitgating leakage currents about the n channel FET's (12).
(FR) L'invention concerne un dispositif CMOS ou MOS-N (10) qui comprend un ou plusieurs TEC à canal N (12) disposés sur un substrat (20). Le dispositif (10) est résistant aux défaillances dues à des radiations à dose totale et comprend également une source de tension négative (22) servant à appliquer une polarisation inverse négative constante sur le substrat du TEC à canal N (12) afin d'atténuer les courants de fuite dans le dispositif (10), ce qui atténue les effets des radiations à dose totale. L'invention concerne également un procédé d'exploitation d'un dispositif CMOS ou MOS-N (10) qui permet de résister aux défaillances dues à des radiations à dose totale, ledit dispositif présentant un ou plusieurs TEC à canal N (12) disposés sur un substrat (20). Le procédé consiste: a) à disposer un dispositif CMOS ou MOS-N (10) dans un milieu de rayonnement qui libère une dose de l'ordre de dizaines ou centaines de krad (Si) sur la période d'utilisation du dispositif CMOS; et b) à appliquer une polarisation inverse négative sur le substrat (20) du MOSFET-N (10), à une tension propre à atténuer des courants de fuite autour du TEC à canal N (12).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)