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1. (WO2002005288) PROCEDE D'ECRITURE ET DE LECTURE DANS UNE MEMOIRE A MATRICE PASSIVE, ET APPAREIL PERMETTANT LA MISE EN OEUVRE DE CE PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/005288 N° de la demande internationale : PCT/NO2001/000290
Date de publication : 17.01.2002 Date de dépôt international : 06.07.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 04.02.2002
CIB :
G11C 11/22 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
22
utilisant des éléments ferro-électriques
Déposants : NORDAL, Per-Erik[NO/NO]; NO (UsOnly)
BRÖMS, Per[SE/SE]; SE (UsOnly)
JOHANSSON, Mats[SE/SE]; SE (UsOnly)
GUDESEN, Hans, Gude[NO/BE]; BE (UsOnly)
THIN FILM ELECTRONICS ASA[NO/NO]; P.O. Box 1872 Vika N-0124 Oslo, NO (AllExceptUS)
Inventeurs : NORDAL, Per-Erik; NO
BRÖMS, Per; SE
JOHANSSON, Mats; SE
GUDESEN, Hans, Gude; BE
Mandataire : LEISTAD, Geirr, I.; Thin Film Electronics ASA P.O. Box 1872 Vika N-0124 Oslo, NO
Données relatives à la priorité :
2000350707.07.2000NO
Titre (EN) A METHOD FOR PERFORMING WRITE AND READ OPERATIONS IN A PASSIVE MATRIX MEMORY, AND APPARATUS FOR PERFORMING THE METHOD
(FR) PROCEDE D'ECRITURE ET DE LECTURE DANS UNE MEMOIRE A MATRICE PASSIVE, ET APPAREIL PERMETTANT LA MISE EN OEUVRE DE CE PROCEDE
Abrégé :
(EN) In a method for performing read and write operations in a passive matrix-addressed memory array of memory cells comprising an electrically polarizable material exhibiting polarization remanence, in particular an electret or ferroelectric material, wherein a logical value stored in a memory cell is represented by an actual polarization state in the memory cell, a degree of polarization in the polarizable material is limited during each read and write cycle to a value defined by a circuit device controlling the read and write operations, with said value ranging from zero to an upper limit corresponding to saturation of the polarization and consistent with predetermined criteria for a reliable detection of a logic state of a memory cell. An apparatus for performing write and read operations in a passive matrix-addressed memory array encompassed by the apparatus and comprising memory cells containing an electrically polarizable material exhibiting polarization remanence, in particularly a ferroelectric material, comprises circuitry which adjusts an application of voltages for addressing the memory cells in order to limit a degree of polarization change in the polarizable material during each read and write cycle to value defined by a circuit controlling said read and write operations.
(FR) La présente invention concerne un procédé de lecture et d'écriture dans un réseau de mémoire d'adressage à matrice passive de cellules mémoire qui comprend un matériau électriquement polarisable présentant une rémanence de polarisation, et en particulier un électret ou un matériau ferroélectrique. Une valeur logique stockée dans une cellule mémoire est représentée par un état de polarisation réel dans cette cellule mémoire. Un degré de polarisation dans ce matériau polarisable est limité pendant chaque cycle de lecture et d'écriture à une valeur définie par un dispositif de circuit commandant les opérations de lecture et d'écriture, cette valeur étant comprise entre zéro et une limite supérieure correspondant à la saturation de polarisation, et cohérente avec le critère prédéterminé en vue d'obtenir une détection fiable de l'état logique d'une cellule mémoire. Cette invention concerne aussi un appareil permettant de réaliser les opérations d'écriture et de lecture dans un réseau de mémoires d'adressage à matrice passive et comprenant des cellules mémoire contenant un matériau électriquement polarisable présentant une rémanence de polarisation, en particulier un matériau ferroélectrique. Ce appareil comprend un circuit qui règle une application de tension destinée à adresser les cellules mémoire de façon à limiter un degré de changement de polarisation dans ce matériau polarisable pendant chaque cycle de lecture et d'écriture à une valeur définie par un circuit commandant ces opérations de lecture et d'écriture.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)