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1. (WO2002003476) DIODE ELECTROLUMINESCENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/003476 N° de la demande internationale : PCT/DE2001/001926
Date de publication : 10.01.2002 Date de dépôt international : 18.05.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 29.01.2002
CIB :
H01L 33/02 (2010.01) ,H01L 33/30 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
26
Matériaux de la région électroluminescente
30
contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
Déposants : GRÖNNINGER, Günther[DE/DE]; DE (UsOnly)
HEIDBORN, Peter[DE/DE]; DE (UsOnly)
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH[DE/DE]; Wernerwerkstrasse 2 93049 Regensburg, DE (AllExceptUS)
Inventeurs : GRÖNNINGER, Günther; DE
HEIDBORN, Peter; DE
Mandataire : EPPING HERMANN & FISCHER; Postfach 12 10 26 80334 München, DE
Données relatives à la priorité :
100 32 531.905.07.2000DE
Titre (EN) LUMINESCENT DIODE
(FR) DIODE ELECTROLUMINESCENTE
(DE) LUMINESZENZDIODE
Abrégé :
(EN) A luminescent diode, based on GaAlAs comprises a window layer (5) with reduced thickness and doped throughout with Si or Sn. The net concentration of the doping is less than 1 x 1018 cm-3. The degradation of the luminescent diode (1) is thus reduced.
(FR) L'invention concerne une diode électroluminescente à base de GaAlAs, présentant une couche fenêtre (5) d'épaisseur réduite, dopée en continu au Si ou Sn. La concentration nette du dopage est inférieure à 1 x 1018 cm-3, afin de réduire la dégradation de la diode électroluminescente (1).
(DE) Eine Lumineszenzdiode auf der Basis von GaA1As weist eine Fensterschicht (5) mit reduzierter Dicke auf und ist durchgehend mit Si oder Sn dotiert. Die Nettokonzentration der Dotierung liegt unterhalb von 1 x 1018 cm-3. Durch diese Massnahme wird die Degradation der Lumineszenzdiode (1) verringert.
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États désignés : JP, KR, US
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)