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1. (WO2002003457) PROCEDE DE DAMASQUINAGE DOUBLE APPLIQUE EN PREMIER A UN TROU D'INTERCONNEXION POUR UNE METALLISATION AU CUIVRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/003457    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/021161
Date de publication : 10.01.2002 Date de dépôt international : 02.07.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.01.2002    
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/528 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 Munich (DE).
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US)
Inventeurs : BRASE, Gabriela; (FR).
SCHROEDER, Uwe, Paul; (DE).
HOLLOWAY, Karen, Lynne; (US)
Mandataire : BRADEN, Stanton, C.; Siemens Corporation - Intellectual Property Dept., 186 Wood Avenue South, Iselin, NJ 08830 (US).
EPPING HERMANN & FISCHER; Postfach 12 10 26, 80034 München (DE)
Données relatives à la priorité :
09/608,540 30.06.2000 US
Titre (EN) VIA FIRST DUAL DAMASCENE PROCESS FOR COPPER METALLIZATION
(FR) PROCEDE DE DAMASQUINAGE DOUBLE APPLIQUE EN PREMIER A UN TROU D'INTERCONNEXION POUR UNE METALLISATION AU CUIVRE
Abrégé : front page image
(EN)An interconnection pattern is formed over the surface of a silicon wafer in which both the vias and the trenches of the pattern are filled with copper. The process of filling the vias and trenches involves use of a silicon nitride film (24) as an etch stop and the filling of the vias with an anti-reflection coating (30).
(FR)On crée une configuration d'interconnexion au-dessus de la surface d'une tranche de silicium dans laquelle à la fois les trous d'interconnexion et les tranchées de la configuration sont remplis de cuivre. Le procédé de remplissage des trous d'interconnexion et des tranchées consiste à utiliser un film de nitrure de silicium en tant qu'arrêt de gravure et à remplir les trous d'interconnexion par un revêtement anti-réfléchissant.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)