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1. (WO2002003445) PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT DE FORMER UNE PLAQUETTE DE SILICIUM A ZONE DENUDEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/003445    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/015502
Date de publication : 10.01.2002 Date de dépôt international : 14.05.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.11.2001    
CIB :
H01L 21/322 (2006.01)
Déposants : MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US/US]; 501 Pearl Drive P.O. Box 8 Mail Zone MZ 33 St. Peters, MO 63376 (US)
Inventeurs : YANG, Charles, Chiun-Chieh; (US)
Mandataire : SCHUTH, Richard, A.; Senniger, Powers, Leavitt & Roedel 1 Metropolitan Sq., 16th Floor St Louis, MO 63102 (US)
Données relatives à la priorité :
09/607,391 30.06.2000 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR FORMING A SILICON WAFER WITH A DENUDED ZONE
(FR) PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT DE FORMER UNE PLAQUETTE DE SILICIUM A ZONE DENUDEE
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus and method for forming an epitaxial layer on and a denuded zone in a semiconductor wafer. A single chamber is used to form both the epitaxial layer and the denuded zone. The denuded zone is formed by heating the wafer in the chamber and then rapidly cooling the wafer while it is supported on an annular support whereby only a peripheral edge portion of the wafer is in contact with the support.
(FR)L'invention concerne un appareil et un procédé permettant de former une couche épitaxiale sur une plaquette semi-conductrice et une zone dénudée dans celle-ci. Une chambre unique est utilisée pour former aussi bien la couche épitaxiale que la zone dénudée. Cette dernière se forme en chauffant la plaquette dans la chambre puis en la refroidissant rapidement pendant qu'elle repose sur un support annulaire. De ce fait, une partie de bordure périphérique seulement de la plaquette est au contact du support.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)