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1. (WO2002003435) PLAQUE CHAUDE DESTINEE A LA FABRICATION ET AUX ESSAIS DE SEMICONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/003435    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/005791
Date de publication : 10.01.2002 Date de dépôt international : 04.07.2001
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H05B 3/14 (2006.01), H05B 3/26 (2006.01), H05B 3/74 (2006.01)
Déposants : IBIDEN CO., LTD. [JP/JP]; 1, Kandacho 2-chome Ogaki-shi, Gifu 503-0917 (JP) (Tous Sauf US).
HIRAMATSU, Yasuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ITO, Yasutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HIRAMATSU, Yasuji; (JP).
ITO, Yasutaka; (JP)
Mandataire : YASUTOMI, Yasuo; Chuo BLDG. 4-20, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku Osaka-shi, Osaka 532-0011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-202510 04.07.2000 JP
Titre (EN) HOT PLATE FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURE AND TESTING
(FR) PLAQUE CHAUDE DESTINEE A LA FABRICATION ET AUX ESSAIS DE SEMICONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A hot plate for semiconductor manufacture and testing is provided that prevents the stagnation of air between a silicon wafer and a heating plane separated at a predetermined distance so the wafer can be heated uniformly. The hot plate includes a resistance-heating element formed on or within the surface of a ceramic substrate, the heating plane of which has glossiness of greater than 1.5%.
(FR)La présente invention concerne une plaque chaude destinée à la fabrication et aux essais de semiconducteurs. Cette plaque empêche l'air de stagner entre une plaquette de silice et un plan chauffant séparé à une distance prédéterminée de sorte que la plaquette puisse être chauffée uniformément. Cette plaque chaude comprend un élément résistance chauffant formé sur ou dans la surface d'un substrat de céramique, dont le plan chauffant possède un brillant supérieur à 1,5 %.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)