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1. (WO2002003428) SUPPORT DE SILICIUM DESTINE A PORTER DES PLAQUETTES AU COURS D'UN TRAITEMENT THERMIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/003428    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/020474
Date de publication : 10.01.2002 Date de dépôt international : 26.06.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.01.2002    
CIB :
H01L 21/673 (2006.01)
Déposants : INTEGRATED MATERIALS, INC. [US/US]; 737 E. Brokaw Road, San Jose, CA 95112 (US)
Inventeurs : BOYLE, James, E.; (US).
DAVIS, Robert, L.; (US).
DELANEY, Laurence, D.; (US).
ZEHAVI, Raanan, Y.; (US)
Mandataire : GUENZER, Charles, S.; Law Offices of Charles Guenzer, 2211 Park Boulevard, P.O. Box 60729, Palo Alto, CA 94306 (US)
Données relatives à la priorité :
09/608,557 30.06.2000 US
09/608,291 30.06.2000 US
Titre (EN) SILICON FIXTURES FOR SUPPORTING WAFERS DURING THERMAL PROCESSING AND METHOD OF FABRICATION
(FR) SUPPORT DE SILICIUM DESTINE A PORTER DES PLAQUETTES AU COURS D'UN TRAITEMENT THERMIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A silicon tower (42) or boat (84) for removably supporting a plurality of silicon wafers (38, 86) during thermal processing. A preferred embodiment of the tower (10) includes four legs (12) secured on their ends to two bases (14). A plurality of slots (16) are cut in the legs allowing slidable insertion of the wafers and support for them. The legs preferably have a rounded wedge shape with a curved front surface of small radius cut with the slots and a back surface that is either flat or curved with a substantially larger radius. Preferably, the legs are machined from virgin polysilicon formed by chemical vapor deposition from silane. The bases may be either virgin poly or monocrystalline silicon and be either integral or composed of multiple parts. Virgin polysilicon is preferably annealed 1025°C before machining. Silicon parts may be joined by applying a spin-on glass between the parts and annealing the assembly. After assembly, the surface of a tower is subjected to sub-surface working.
(FR)L'invention concerne une tour de silicium (42) ou une nacelle (84) destinées à porter de manière amovible une pluralité de plaquettes de silicium (38, 86) au cours d'un traitement thermique. Dans un mode de réalisation préféré, la tour (10) comporte quatre pieds (12) fixés à leurs extrémités sur deux bases (14). Une pluralité de fentes (16) sont réalisées dans les pieds, les plaquettes pouvant ainsi être glissées et logées dans ces fentes. Les pieds présentent de préférence une forme en biseau arrondi avec une surface frontale courbe de rayon faible, dans laquelle les fentes sont pratiquées, et une surface arrière plate ou courbe de rayon plus important. De préférence, les pieds sont usinés dans du polysilicium vierge formé par dépôt chimique en phase vapeur à partir de silane. Les bases peuvent être réalisées en silicium vierge polycristallin ou monocristallin et d'un seul tenant ou composées de plusieurs parties. Le polysilicium vierge est de préférence recuit à une température supérieure à 1025 °C avant usinage. Les parties réalisées en silicium peuvent être assemblées par application de verre par centrifugation (SOG) entre les parties, et recuit de l'ensemble. Après assemblage, la surface d'une tour est soumise à un traitement de sous-surface.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)