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1. (WO2002003389) CIRCUIT DE POMPAGE DE CHARGE INDUCTIVE FOURNISSANT DES TENSIONS UTILES POUR MEMOIRES FLASH ET AUTRES APPLICATIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/003389    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/017846
Date de publication : 10.01.2002 Date de dépôt international : 01.06.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.01.2002    
CIB :
G11C 5/14 (2006.01), G11C 16/30 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
JAVANIFARD, Jahanshir [US/US]; (US) (US Seulement).
WALIMBE, Priya [IN/US]; (US) (US Seulement).
FOEHRINGER, Richard [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JAVANIFARD, Jahanshir; (US).
WALIMBE, Priya; (US).
FOEHRINGER, Richard; (US)
Mandataire : MALLIE, Michael, J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman 7th Floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
09/607,483 30.06.2000 US
Titre (EN) INDUCTIVE CHARGE PUMP CIRCUIT FOR PROVIDING VOLTAGES USEFUL FOR FLASH MEMORY AND OTHER APPLICATIONS
(FR) CIRCUIT DE POMPAGE DE CHARGE INDUCTIVE FOURNISSANT DES TENSIONS UTILES POUR MEMOIRES FLASH ET AUTRES APPLICATIONS
Abrégé : front page image
(EN)A DC voltage boost circuit capable of improved efficiency. The DC voltage boost circuit includes an inductive element, a switching device, an output capacitive element, and a regulation circuit. The switching device periodically causes current to flow through the inductive element in response to a control signal. Each time the switching device causes current to flow through the inductive element, the inductibe element stores the energy. When the switching device stops the current from flowing through the inductive element, the stored energy is then transfered to the output capacitive element. The capacitive element accumulates the packets of energy stored in the inductive element in the form of charges to form the output voltage and to generate the control signal for the switching device such that the output voltage is regulated. The control signal can be frequency modulated or pulse width modulated. An integrated circuit is also disclosed comprising a package, a die incorporating the switching device and regulation circuit, wherein the inductive and capacitive elements are situated within the package, but outside of the die.
(FR)Cette invention concerne un circuit d'élévation de tension en courant alternatif d'une efficacité accrue. Ce circuit comprend un élément inductif, un élément de commutation, un dispositif condensateur de sortie et un circuit de régulation. Le dispositif de commutation permet au courant de traverser périodiquement l'élément inductif en réponse à un signal de commande. Chaque fois que l'élément de commutation laisse le courant le traverser, l'élément inductif emmagasine de l'énergie. Lorsque l'élément de commutation empêche le courant de traverser l'élément inductif, l'énergie emmagasinée est transférée à l'élément condensateur de sortie. Cet élément condensateur accumule les paquets d'énergie stockés dans l'élément inductif sous forme de charges qui constituent la tension de sortie de l'amplificateur. On trouve un circuit de régulation qui échantillonne la tension de sortie de l'amplificateur et génère le signal de commande pour le dispositif de commutation. Le signal de commande peut être modulé en fréquence ou par impulsions de données variables. De plus, l'invention concerne un circuit intégré comprenant un ensemble, une matrice renfermant le dispositif de commutation et le circuit de régulation. Les éléments inductif et de condensateur sont situés dans l'ensemble, mais en dehors de la matrice.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)