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1. (WO2002002277) MECANISME DE CONDITIONNEMENT DANS UN APPAREIL DE POLISSAGE MECANIQUE CHIMIQUE POUR PASTILLES DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/002277    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/020594
Date de publication : 10.01.2002 Date de dépôt international : 28.06.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.01.2002    
CIB :
B24B 21/04 (2006.01), B24B 49/16 (2006.01), B24B 53/017 (2012.01), B24B 53/12 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538-6470 (US)
Inventeurs : VOGTMANN, Michael; (US).
FREDERICKSON, Chris; (US).
GASPARITSCH, Jeff; (US).
HEMPLE, Gene; (US).
ENGDAHL, Erik; (US)
Mandataire : KENNEDY, Linda, D.; Brinks Hofer Gilson & Lione P.O. Box 10087 Chicago, IL 60610 (US)
Données relatives à la priorité :
09/607,743 30.06.2000 US
Titre (EN) A CONDITIONING MECHANISM IN A CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR WAFERS
(FR) MECANISME DE CONDITIONNEMENT DANS UN APPAREIL DE POLISSAGE MECANIQUE CHIMIQUE POUR PASTILLES DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for conditioning a polishing pad (12) are described. The method includes steps of providing a chemical mechanical polishing apparatus having a polishing region and a conditioning region; cycling a polishing member (12) through the apparatus; contacting the polishing member (12) in the conditioning region with a conditioning member (50); and conditioning the polishing member (12). The apparatus includes an end effector (70) adapted to receive a conditioning member, the end effector (70) being attached to an arm (65) that can be moved horizontally and vertically, and a strain gauge that monitors the force applied to a polishing member (12).
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil pour conditionner une plaquette de polissage. Le procédé consiste à fournir un appareil de polissage chimique et mécanique ayant une région de polissage et une région de conditionnement; faire passer un élément de polissage de manière répétée dans l'appareil; mettre l'élément de polissage dans la région de conditionnement en contact avec un élément de conditionnement; et conditionner l'élément de polissage. L'appareil comprend un effecteur d'extrémité conçu pour recevoir un élément de conditionnement, l'effecteur d'extrémité étant attaché à un bras qui peut être déplacé horizontalement ou verticalement, et un tensiomètre qui surveille la force appliquée à un élément de polissage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)