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1. (WO2002001646) DIODE HAUTE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/001646    N° de la demande internationale :    PCT/DE2001/002366
Date de publication : 03.01.2002 Date de dépôt international : 27.06.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.01.2002    
CIB :
H01L 29/32 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 München (DE) (Tous Sauf US).
MAUDER, Anton [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
PORST, Alfred [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : MAUDER, Anton; (DE).
PORST, Alfred; (DE)
Mandataire : HOFFMANN, Jörg, Peter; Müller & Hoffmann, Innere Wiener Strasse 17, 81667 München (DE)
Données relatives à la priorité :
100 31 461.9 28.06.2000 DE
Titre (DE) HOCHVOLT-DIODE
(EN) HIGH-VOLTAGE DIODE
(FR) DIODE HAUTE TENSION
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Hochvolt-Diode, bei der die Dotierungskonzentrationen eines Anodengebietes (4, 2) und eines Kathodengebietes (1, 5, 6) im Hinglick auf die Grundfunktionen 'statisches Sperren' und 'Durchlass' optimiert sind. Die Dotierungskonzentrationen betragen 1 x 1017 bis 3 x 1018 Dotierstoffatome cm-3 für den Anodenemitter (4), insbesondere an dessen Oberfläche 1019 Dotierstoffatome cm-3 oder darüber für den Kathodenemitter (6) und etwa 1016 Dotierstoffatome cm-3 für die Sperrfunktion einer anodenseitigen Zone (2).
(EN)The invention relates to a high-voltage diode, wherein the dopant concentration of an anode region (4, 2) and a cathode region (1, 5, 6) is optimized in terms of the basic functions static blocking and conductivity . The dopant concentrations range from 1 x 1017 to 3 x 1018 dopant atoms per cm-3 for the anode emitter (4), especially on its surface 1019 dopant atoms per cm-3 or more for the cathode emitter (6) and approximately 1016 dopant atoms per cm-3 for the blocking function of an anode-side zone (2).
(FR)L'invention concerne une diode haute tension dans laquelle les concentrations de dopage d'une région anodique (4, 2) et d'une région cathodique (1, 5, 6) sont optimisées en ce qui concerne les fonctions de base 'blocage statique' et 'passage'. La concentration de dopage est de 1 x 1017 à 3 x 1018 d'atomes de matière de dopage par cm-3 pour l'émetteur anodique (4), en particulier à la surface de l'émetteur cathodique (6), de 1019 atomes de matière de dopage par cm-3 ou supérieure, et d'environ 10-16 atomes de dopage par cm-3 pour la fonction de blocage d'une zone (2) située côté anode.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)