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1. (WO2002001643) DIODE A PUISSANCE DE RECUPERATION DOUCE ET PROCEDE ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/001643    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/019990
Date de publication : 03.01.2002 Date de dépôt international : 22.06.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.01.2002    
CIB :
H01L 29/861 (2006.01)
Déposants : FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 82 Running Hill Road, South Portland, ME 04106 (US) (Tous Sauf US).
SHENOY, Praveen, Muraleedharan [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SHENOY, Praveen, Muraleedharan; (US)
Mandataire : REGAN, Christopher, F.; Allen, Dyer, Doppelt, Milbrath & Gilchrist, P.A., 255 South Orange Avenue, Suite 1401, P.O. Box 3791, Orlando, FL 32802-3791 (US)
Données relatives à la priorité :
09/603,605 26.06.2000 US
Titre (EN) SOFT RECOVERY POWER DIODE AND RELATED METHOD
(FR) DIODE A PUISSANCE DE RECUPERATION DOUCE ET PROCEDE ASSOCIE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor diode includes a first semiconductor layer including a dopant having a first conductivity type. A second semiconductor layer is adjacent the first semiconductor layer and includes a dopant having the first conductivity type and having a dopant concentration less than a dopant concentration of the first semiconductor layer. Adjacent the second semiconductor layer is a third semiconductor layer including a dopant having the first conductivity type and having a dopant concentration greater than the dopant concentration of the second semiconductor layer. A fourth semiconductor layer is adjacent the third semiconductor layer and includes a dopant of a second conductivity type. Respective contacts are connected to the first and fourth semiconductor layers.
(FR)Cette invention se rapporte à une diode à semi-conducteur, qui comprend une première couche de semi-conducteur contenant un dopant ayant un premier type de conductivité. Une seconde couche de semi-conducteur est placée adjacente à la première couche de semi-conducteur et contient un dopant ayant le premier type de conductivité et possédant une concentration de dopant inférieure à la concentration de dopant de la première couche de semi-conducteur. A proximité adjacente de la seconde couche de semi-conducteur est placée une troisième couche de semi-conducteur contenant un dopant ayant le premier type de conductivité et présentant une concentration de dopant supérieure à la concentration de dopant de la seconde couche de semi-conducteur. Une quatrième couche de semi-conducteur est placée adjacente à la troisième couche de semi-conducteur et contient un dopant d'un second type de conductivité. Des contacts respectifs sont connectés à la première et à la quatrième couche de semi-conducteur.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)