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1. (WO2002001637) IMPLANTATION ET PROCEDE DESTINES A UN DISPOSITIF AYANT UNE STRUCTURE DE METALLISATION SEGMENTEE LIMITANT LES GLOBULES POUR LES ENTREES ET LES SORTIES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/001637    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/018750
Date de publication : 03.01.2002 Date de dépôt international : 07.06.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.01.2002    
CIB :
H01L 23/485 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
SHESHAN, Krishna [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SHESHAN, Krishna; (US)
Mandataire : MALLIE, Michael, J.; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman LLP, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
09/606,319 28.06.2000 US
Titre (EN) LAYOUT AND PROCESS FOR A DEVICE WITH SEGMENTED BALL LIMITED METALLURGY FOR THE INPUTS AND OUTPUTS
(FR) IMPLANTATION ET PROCEDE DESTINES A UN DISPOSITIF AYANT UNE STRUCTURE DE METALLISATION SEGMENTEE LIMITANT LES GLOBULES POUR LES ENTREES ET LES SORTIES
Abrégé : front page image
(EN)The present invention discloses a novel layout and process for a device with segmented BLM for the I/Os. In a first embodiment, each BLM is split into two segments. The segments are close to each other and connected to the same overlying bump. In a second embodiment, each BLM is split into more than two segments. In a third embodiment, each segment is electrically connected to more than one underlying via. In a fourth embodiment, each segment is electrically connected to more than one underlying bond pad.
(FR)La présente invention concerne une nouvelle implantation et un nouveau procédé pour un dispositif ayant une structure de métallisation segmentée limitant les globules (MLG) pour les entrées/sorties. Dans une première forme de réalisation, chaque MLG est divisée en deux segments. Les segments sont proches l'un de l'autre et reliés à la même protubérance sus-jacente. Dans une deuxième forme de réalisation, chaque MLG est divisée en plus de deux segments. Dans une troisième forme de réalisation, chaque segment est électriquement relié à plus d'une via sous-jacente. Dans une quatrième forme de réalisation, chaque segment est électriquement relié à plus d'un plot de connexion sous-jacent.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)