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1. (WO2002001624) COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/001624    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/016689
Date de publication : 03.01.2002 Date de dépôt international : 23.05.2001
CIB :
H01L 21/331 (2006.01)
Déposants : MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventeurs : LU, Shifeng,; (US).
BORUCKI, Leonard, J.; (US).
HILDRETH, Jill, C.; (US).
MORTON, Andrew, S.; (US).
JOHN, Jay, P.; (US).
THOMAS, Shawn, G.; (US).
CONTRERAS, Laura; (US)
Mandataire : Motorola Inc.; 7700 West Parmer Lane Austin, TX 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
09/605,037 27.06.2000 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURING
(FR) COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A method (100) of manufacturing a semiconductor component includes growing a doped silicon germanium: carbon (SiGe:C) epitaxial layer (230) over a semiconductor substrate (210). The method also includes annealing the epitaxial layer and using the carbon in the epitaxial layer to control diffusion of the germanium in the epitaxial layer during the annealing step.
(FR)Procédé (100) de fabrication d'un composant à semi-conducteur consistant à effectuer la croissance d'une couche épitaxiale dopée (230) de silicium germanium:carbone (SiGe:C) au-dessus d'un substrat de semi-conducteur (210). Ce procédé consiste également à effectuer le recuit de la couche épitaxiale et à utiliser le carbone de cette couche épitaxiale afin de réguler la diffusion du germanium dans la couche épitaxiale pendant l'étape de recuit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)