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PATENTSCOPE

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1. (WO2002001292) DISPOSITIF ET PROCEDE POUR NETTOYER DES OBJETS UTILISES DANS LA PRODUCTION D'ELEMENTS A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/001292 N° de la demande internationale : PCT/CH2001/000402
Date de publication : 03.01.2002 Date de dépôt international : 26.06.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 17.01.2002
CIB :
G03F 1/00 (2012.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : BLATTNER, Jakob[CH/CH]; CH (UsOnly)
RUDY, Federici[CH/CH]; CH (UsOnly)
BROOKS-PRI AUTOMATION (SWITZERLAND) GMBH[CH/CH]; Lohstampfestrasse 11 CH-8274 Tägerwilen, CH (AllExceptUS)
Inventeurs : BLATTNER, Jakob; CH
RUDY, Federici; CH
Mandataire : R.A. EGLI & CO.; Horneggstrasse 4 Postfach CH-8034 Zurich, CH
Données relatives à la priorité :
1270/0027.06.2000CH
Titre (EN) DEVICE AND METHOD FOR CLEANING ARTICLES USED IN THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR COMPONENTS
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE POUR NETTOYER DES OBJETS UTILISES DANS LA PRODUCTION D'ELEMENTS A SEMI-CONDUCTEUR
(DE) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR REINIGUNG VON IN DER PRODUKTION VON HALBLEITERELEMENTEN BENUTZTEN OBJEKTEN
Abrégé : front page image
(EN) The invention relates to a cleaning device for use in the production of semiconductor components. Said cleaning device comprises two feed devices with which a fluid medium is guided across a respective surface of an object to be cleaned (9), especially an article used in semiconductor production so that different faces of said article (9) are simultaneously cleaned. At least two gas feeding devices (5) open into a cleaning chamber (42), supplying a pressurized cleaning gas. Said gas feeding devices (5) are provided with one means (50) each for directing a gas flow onto the surface of the article to be cleaned (9). At least two extraction means (53) are connected to the outside of the cleaning chamber (42) through which the gas fed to the cleaning chamber (42) is discharged. The article (9) can be introduced into the cleaning chamber (42) through at least one gap (56). At least two ionization means (52) are used to ionize the gas and particles that are present in the cleaning chamber (42). One ionization means (52) each is mounted between a direction means (50) and an extraction means (53).
(FR) L'invention concerne un dispositif de nettoyage utilisé dans la production de composants à semi-conducteur, lequel comporte deux dispositifs d'amenée, au moyen de chacun desquels une substance fluide peut être envoyée sur la surface correspondante d'un objet (9) à nettoyer, en particulier un moyen de production de semi-conducteur, cela de telle sorte que des côtés différents de l'objet (9) sont nettoyés simultanément. Dans une chambre de nettoyage (42) débouchent au moins deux dispositifs d'amenée de gaz (5) servant à l'introduction d'un gaz de nettoyage sous pression. Les dispositifs d'amenée de gaz (5) comportent chacun un moyen (50) servant à diriger un courant de gaz vers une surface de l'objet (9) à nettoyer. De la chambre de nettoyage (42) partent au moins deux moyens d'aspiration (53) avec lesquels le gaz introduit dans la chambre de nettoyage (42) peut être évacué. L'objet (9) peut être introduit dans la chambre de nettoyage (42) par au moins une fente (56). Le gaz et les particules se trouvant dans la chambre de nettoyage (42) peuvent être ionisés avec au moins deux moyens d'ionisation (52), chaque moyen d'ionisation (52) se trouvant entre un moyen de direction (50) et un dispositif d'aspiration (53).
(DE) Eine Reinigungsvorrichtung für die Halbleiterbauelementeproduktion ist mit zwei Zuführeinrichtungen versehen, mit denen jeweils ein fluides Medium über jeweils eine Oberfläche eines zu reinigenden Objekts (9), insbesondere eines Halbleiterproduktionsmittels, führbar ist, so dass sich unterschiedliche Seiten des Objektes (9) gleichzeitig reinigen lassen. In eine Reinigungskammer (42) münden zumindest zwei Gaszuführeinrichtungen (5) zur Einführung eines unter Überdruck stehenden Reinigungsgases. Die Gaszuführeinrichtungen (5) weisen jeweils ein Mittel (50) zur Richtung eines Gasstromes auf eine Oberfläche des zu reinigenden Objekts (9) auf. Aus der Reinigungskammer (42) führen zumindest zwei Absaugmittel (53) heraus, mit der in die Reinigungskammer (42) hineingeleitetes Gas abführbar ist. Das Objekt (9) ist durch zumindest einen Spalt (56) in die Reinigungskammer (42) einführbar. Mit zumindest zwei Ionisationsmittel (52) ist in der Reinigungskammer (42) befindliches Gas und Partikel ionisierbar, wobei sich jeweils Ionisationsmittel (52) zwischen jeweils einem Richtungsmittel (50) und einer Absaugeinrichtung (53) befindet.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)