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1. (WO2002001287) DISPOSITIFS ELECTROCHROMIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/001287    N° de la demande internationale :    PCT/GB2001/002852
Date de publication : 03.01.2002 Date de dépôt international : 27.06.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.01.2002    
CIB :
B64G 1/22 (2006.01), B64G 1/50 (2006.01), G02F 1/155 (2006.01), G02F 1/157 (2006.01)
Déposants : THE SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE [GB/GB]; Defence Evaluation and Research Agency Ively Road Farnborough Hampshire GU14 0LX (GB) (Tous Sauf US).
MILNE, Paul, Edward, Young [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
SIMPSON, John [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
HUTCHINS, Michael, George [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
TOPPING, Alexander, John [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
GALLEGO, Jose Manuel [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : MILNE, Paul, Edward, Young; (GB).
SIMPSON, John; (GB).
HUTCHINS, Michael, George; (GB).
TOPPING, Alexander, John; (GB).
GALLEGO, Jose Manuel; (GB)
Mandataire : GODDARD, David, John; Harrison Goddard Foote Orlando House 11c Compstall Road Marple Bridge Stockport SK6 5HH__ (GB)
Données relatives à la priorité :
0015664.6 28.06.2000 GB
Titre (EN) ELECTROCHROMIC DEVICES
(FR) DISPOSITIFS ELECTROCHROMIQUES
Abrégé : front page image
(EN)An electrochromic arrangement particularly useful in a region of the infra-red spectrum above 3 microns comprises in order a rear glass substrate (1), a film electrode (2) with an IR reflectivity of at least 50 %, an ion storage layer (3) an ion conducting layer (4). An electrochromic tungsten oxide layer (5) having at least a degree of crystallinity, a silicon front electrode (6) and an antireflection coating (7). In the uncharged state of layer (5) all layers (3-7) are transparent and most incident light is reflected at (2). On entering the charged state the layer (5) exhibits a marked increase in light absorptivity and refractive index. In a device incorporating a bare layer (5) the latter causes such a large increase in reflectivity at the front surface that the increase in light absorption tends to be masked, with a resulting increase in reflectivity of the device. Layer (6) acts as an index matching layer (6) whereby less light is reflected at the front of layer (5) and more light is transmitted through to be absorbed in charged layer (5) in both directions of transmission, so decreasing the reflectivity.
(FR)L'invention concerne un système électrochromique particulièrement utile dans une zone du spectre infrarouge supérieure à 3 micromètres, qui comprend dans l'ordre un substrat de verre arrière (1), une électrode à film (2) ayant une réflectivité dans l'infrarouge d'au moins 50 %, une couche de stockage d'ions (3), une couche conductrice d'ions (4), une couche d'oxyde de tungstène électrochromique (5) ayant au moins un degré de cristallinité, une électrode frontale en silicium (6) et un revêtement antireflet (7). A l'état non chargé de la couche (5), toutes les couches (3-7) sont transparentes et la plus grande partie de la lumière incidente est réfléchie au niveau de l'électrode (2). Lors du passage à l'état chargé, la couche (5) présente une augmentation marquée dans l'absorptivité de la lumière et dans l'indice de réfraction. Dans un dispositif comprenant une couche nue (5), cette dernière entraîne une augmentation tellement importante de la réflectivité au niveau de la surface frontale que l'augmentation dans l'absorption de lumière tend à être masquée, ce qui entraîne une augmentation de la réflectivité du dispositif. La couche (6) agit comme une couche adaptatrice d'indice (6), moins de lumière étant réfléchie à l'avant de la couche (5) et plus de lumière étant transmise afin d'être absorbée dans la couche chargée (5) dans les deux sens de transmission, diminuant ainsi la réflectivité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)