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1. (WO2002000971) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TRANCHE EPITAXIALE EN SILICIUM ET TRANCHE EPAXIALE EN SILICIUM AINSI OBTENUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/000971 N° de la demande internationale : PCT/JP2001/005563
Date de publication : 03.01.2002 Date de dépôt international : 27.06.2001
CIB :
C30B 31/06 (2006.01) ,H01L 21/22 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
31
Procédés de diffusion ou de dopage des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; Appareillages à cet effet
06
par contact avec la substance de diffusion à l'état gazeux
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
22
Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
Déposants : KABASAWA, Hitoshi[JP/JP]; JP (UsOnly)
OKUBO, Yuji[JP/JP]; JP (UsOnly)
SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD.[JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : KABASAWA, Hitoshi; JP
OKUBO, Yuji; JP
Mandataire : SUGAWARA, Seirin; Sakae Yamakichi Bldg. 9-30, Sakae 2-chome, Naka-ku Nagoya-shi, Aichi 460-0008, JP
Données relatives à la priorité :
2000-19588029.06.2000JP
Titre (EN) SILICON EPITAXIAL WAFER MANUFACTURING METHOD AND SILICON EPITAXIAL WAFER
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TRANCHE EPITAXIALE EN SILICIUM ET TRANCHE EPAXIALE EN SILICIUM AINSI OBTENUE
Abrégé :
(EN) In order to keep constant the impurity concentration profile in a transition region which is susceptible to the influence of an auto doping phenomenon, a dopant gas of a concentration at which an impurity concentration higher than the auto doping amount is fed to the transition region to shift the gradient of the impurity concentration profile of the transition region to the higher concentration side. In other words, the impurity concentration profile of the transition region is so preset that the impurity concentration may be sufficiently higher than the auto doping amount estimated. The auto doping amount is limited, even if changed, within an allowable changing range of the gradient impurity concentration profile, so that the characteristics of a semiconductor device made of a silicon epitaxial wafer is hardly subject to the influence of the auto doping phenomenon.
(FR) Afin de maintenir constant le profil de la concentration d'impuretés dans une zone de transition pouvant être soumise aux effets d'un phénomène d'auto-dopage, un gaz dopant dont la concentration est telle que la concentration d'impuretés est supérieure à la quantité d'auto-dopage est chargé dans la zone de transition de manière à transférer le gradient du profil de la concentration d'impuretés de la zone de transition côté concentration plus élevée. En d'autres termes, le profil de la concentration d'impuretés de la zone de transition est présélectionné de telle sorte que ladite concentration soit suffisamment plus élevée que la quantité d'auto-dopage estimée. La quantité d'auto-dopage est limitée, même si elle est modifiée, à une gamme de modification acceptable du gradient du profil de la concentration d'impuretés, de sorte qu'un dispositif semi-conducteur fabriqué à partir d'une tranche épitaxiale en silicium ne soient pas soumis aux effets d'un phénomène d'auto-dopage.
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États désignés : KR, US
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)