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1. WO2001080346 - COUCHE SEMI-CONDUCTRICE, CELLULE SOLAIRE L'UTILISANT, PROCEDES DE PRODUCTION ET APPLICATIONS CORRESPONDANTES

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[ JA ]

請 求の 範囲

1 . 太陽電池に用いる半導体層であって、粒度分布に於いて、複数のピ ークを有する半導体粒子群から構成された半導体層。

2 . 半導体粒子群が、平均粒径が互いに異なる第一半導体粒子群と第 二半導体粒子群から構成され、第一半導体粒子群の平均粒径が第二半導 体粒子群の平均粒径より小さいことを特徴とする請求の範囲第 1 項に記 載の半導体層。

3 . 第一半導体粒子群及び第二半導体粒子群の平均粒径が、 1 0 0 η m以下であることを特徴とする請求の範囲第 2項に記載の半導体層。

4 . 第一半導体粒子群及び第二半導体粒子群の平均粒径がそれぞれ 1 2 ± 3 n m及び 2 3 ± 4 n mの範囲にあることを特徴とする請求の範囲 第 2項又は第 3項に記載の半導体層。

5 . 第二半導体粒子群の平均粒径に対する第一半導体粒子群の平均粒 径の比が、約 0 . 3乃至 0 . 8であることを特徴とする請求の範囲第 2 項、第 3項又は第 4項に記載の半導体層。

6 . 第二半導体粒子群を第一半導体粒子群に対して、重暈で 2 / 3倍 量以上配合することを特徴とする請求の範囲第 2項乃至第 5項の何れか に記載の半導体層。

フ . 半導体粒子群がアナタ一ゼ型ニ酸化チタンであることを特徴とす る請求の範囲第 1 項乃至第 6項の何れかに記載の半導体層。

8 . 半導体粒子として、ルチル型二酸化チタンを更に含んでなる請求 の範囲第 1 項乃至第フ項の何れかに記載の半導体層。

9 . ルチル型二酸化チタンの平均粒径が 1 0 0 ± 2 0 n mである請求 の範囲第 8項に記載の半導体層。

1 0 . ル^ル型二酸化チタンが、第一及び第二半導体粒子の合計重量に 対して、 2 0重量%以下の量配合されていることを特徴とする請求の範 囲第 8項又は第 9項に記載の半導体層。

1 1 . 増感色素及び/又は結着剤を更に含んでなる請求の範囲第 1 項乃 至第 1 0項の何れかに記載の半導体層。

1 2 . 増感色素が、下記に示す一般式 1 で表される増感色素である請求 の範囲第 1 1 項に記載の半導体層。

一般式 "!:


一般式 1 中、 R , ~ R 3はそれぞれ独立して、水素、力ルポキシル基、 カルボン酸エス亍ル基又はカルポキシラートイオンを表し、これら, 〜 R 3の少なくとも何れか一つは、力ルポキシル基、カルボン酸エステ ル基又はカルポキシラートイオンを表す。但し、 Xが水素又はメチル基 で、 R, ~ R 3の何れか一つが力ルポキシル基で、その他が水素のとき、 Υはァニオンを表す。 R 4は置換基を有することある直鎖又は分岐アル キル基を表す。又、 R 5は水素、カルボン酸塩基、スルホン酸塩基、置 換基を 1 又は複数有することある脂肪族炭化水素基、ハロゲン基、エー テル基、力ルポキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸基、スル ホン酸エス亍ル基、芳香族炭化水素基、有機イオン、無機イオン、有機 酸イオン'又は無機酸イオンを表す。

1 3 . 半導体粒子全重量に対して、結着剤を 1 乃至 9 9重量%配合して いることを特徴とする請求の範囲第 1 1 項に記載の半導体層。

1 4 . 半導体層を有する太陽電池に於いて、半導体層として請求の範囲 第 1 項乃至第 1 3項の何れかに記載の半導体層を用いることを特徴とす る太陽電池。

1 5 . 蓄電手段及び/又は直流 //交流変換手段を設けてなる請求の範囲 第 1 4項に記載の太陽電池。

1 6 . 光エネルギー変換効率が 5 %を越えることを特徵とする請求の範 囲第 1 4項又は第 1 5項に記載の太陽電池。

1 7 . 日中の太陽光の動きを追尾する手段を設けてなる請求の範囲第 1 4項、第 1 5項又は第 1 6項に記載の太陽電池。

1 8 . 粒度分布に於いて、複数のピークを有する半導体粒子群を含有す るコロイド溶液を焼成することを特徴とする請求の範囲第 1 項乃至第 1 3項の何れかに記載の半導体層の製造方法。

1 9 . 半導体層を有する太陽電池の製造方法に於いて、半導体層として. 請求の範囲第 1 項乃至第 1 3項の何れかに記載の半導体層を用いること を特徴とする太陽電池の製造方法。

2 0 . 電力発生手段として、請求の範囲第 1 4項乃至第 1 7項の何れか に記載の太陽電池を用いる電力供給装置。