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1. (WO2001080309) PROCEDE DESTINE A AUGMENTER L'ADHESION DU NITRURE DE SILICIUM AU CARBONE AMORPHE FLUORE A FAIBLE K AU MOYEN D'UNE COUCHE FAVORISANT L'ADHESION DU CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/080309    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/002871
Date de publication : 25.10.2001 Date de dépôt international : 02.04.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    31.10.2001    
CIB :
C23C 16/32 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaikecho, Abeno-ku Osaka-shi, Osaka 545-8522 (JP)
Inventeurs : YANG, Hongning; (US).
NGUYEN, Tue; (US)
Mandataire : YAMAMOTO, Shusaku; Fifteenth Floor, Crystal Tower, 2-27 Shiromi 1-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 540-6015 (JP)
Données relatives à la priorité :
09/541,255 03.04.2000 US
Titre (EN) A METHOD TO ENHANCE THE ADHESION OF SILICON NITRIDE TO LOW-K FLUORINATED AMORPHOUS CARBON USING A SILICON CARBIDE ADHESION PROMOTER LAYER
(FR) PROCEDE DESTINE A AUGMENTER L'ADHESION DU NITRURE DE SILICIUM AU CARBONE AMORPHE FLUORE A FAIBLE K AU MOYEN D'UNE COUCHE FAVORISANT L'ADHESION DU CARBURE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process is provided for depositing one or more dielectric material layers on a substrate for use in interconnect structures of integrated circuits. The method comprises the steps of depositing a fluorinated amorphous carbon (a-F:C) layer (128) on a substrate (120). An adhesion promoter layer of relatively hydrogen-free hydrogeneated silicon carbide (126, 130) is then deposited on the a-F:C layer using silane (SiH4) and methane (CH4) as the deposition gases. The deposited silicon carbide layer (126, 130) has relatively few hyrogen bonds thereby yielding a compact structure which promotes adhesion to a silicon nitride layer (124, 132) and to the a-F:C layer (128), and which reduces diffusion of fluorine through the silicon carbide layer. A silicon nitride layer (132), having relatively few hydrogen bonds is then deposited on the adhesion promoter layer. This stacked layer structure has thermal stability and resists peeling and cracking up to 450 °C, and the a-F:C dielectric layer has a dielectric constant (k) as low, or lower, than 2.5.
(FR)L'invention concerne un procédé de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (PECVD) servant à déposer une ou plusieurs couches de manière diélectrique sur un substrat destiné à des structures d'interconnexion de circuits intégrés. Ce procédé consiste à déposer une couche de carbone amorphe fluoré (a-F:C) (128) sur un substrat (120). Une couche favorisant l'adhésion du carbure de silicium hydrogéné sensiblement exempt d'hydrogène (126, 130) est alors déposée sur la couche a-F:C, du silane (SiH4) et du méthane (CH4) étant utilisés comme gaz de dépôt. La couche de carbure de silicium déposée (126, 130) comprend relativement peu de liaisons hydrogène, d'où l'obtention d'une structure compacte favorisant l'adhésion à une couche de nitrure de silicium (124, 132) et à la couche a-F:C (128), ce qui réduit la diffusion de fluor dans la couche de carbure de silicium. Une couche de nitrure de silicium (132) comprenant relativement peu de liaisons hydrogène est alors déposée sur la couche favorisant l'adhésion. Cette structure en couches superposées présente une stabilité thermique élevée et résiste au décollement et aux craquelures jusqu'à 450 °C, la couche diélectrique a-F:C présentant une constante diélectrique (k) inférieure ou égale à 2,5.
États désignés : JP, KR.
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)